Рис. 6.20. Крива залежності імовірності Р заміщення при зіткненні і виміряної частини Л' різних іонів, якими заміщені атоми міді, від ^ — порядкового номера частинки, що рухається

Р

1,00 -0,80 -0,60 -0,40 -0,20 -

-0,60 ^ 0,40

Із розглянутого відрізка діа-І А , , , І000, , , І

грами для Аи—АІ (у = 0,42) зро- о ю 20 зо 40 50 60 70 80 г, зуміло, що заміщення при зіткненні неможливе, тоді як для Аи-Си (у = 0,73) заміщення при зіткненні можливе при енергії атомів золота від ЗО до 130 еВ.

Імовірність заміщення атомів міді різними іонами показана на рис. 6.20 при Ес1= 25 еВ. Для випадкових атомів 2Х ~ 40 існує 80%-на імовірність заміщення під час зіткнення, внаслідок якого ці атоми будуть знаходитися па місцях заміщених атомів міді.

Укорінення домішок, утворення і накопичення різних радіаційних дефектів при іонному опроміненні приводить до різних структурних перетворень.

Відомі кілька типів структурних перетворень, які відбуваються при іонному бомбардуванні: кристал - аморфна речовина (аморфізація); аморфна речовина - кристал (кристалізація); кристал - кристал (зміна розміру і орієнтації зерен у полікристалі, зміна типу кристалічної ґратки).

Метали характеризуються високою швидкістю відпалу радіаційних дефектів. Внаслідок цього при кімнатній температурі аморфізація металів, як правило, не відбувається. Незважаючи на це структурні перетворення третього типу (кристал - кристал) в умовах іонного бомбардування здаються досить імовірними.

При опроміненні металевих полікристалічних плівок може відбуватися зміна переважної орієнтації зерен, причому структури, які, як правило, утворюються, мають орієнтацію найбільш щільного упакування паралельно іонному пучку. Це можна пояснити тим, що в щільноупакованому напрямку якнайкраще здійснюється каналювання іонів, а тому питомі енергетичні втрати мінімальні. В областях з іншою орієнтацією більшої втрати при гальмуванні іонів у них відбувається розплавлення матеріалу (тепловий пік). У цих умовах області зі сприятливою орієнтацією (є каналювання, немає розплавлення) будуть відігравати роль центрів рекристалізації, на яких кристал росте. Очевидно, що деякий вплив на зміну орієнтації зерен на поверхні полікристала може

465