Рис. 6.17. Концентраційний профіль (У) і профіль розподілу дефектів (2) при імплантації в залізо іонів хрому енергією Е = = 50 ксВ (кожна з наведених кривих отримана за результатами усереднення траєкторій 500 іонів)

кості загартування 10й К/с. Така ситуація значно відрізняється від інших схем, коли енергія передається атомам кристалічної ґратки за однакових умов.

Максимальна концентрація легуючої домішки при іонній імплантації визначається кількістю іонів, необхідних для розпилення шару атомів мішені товщиною, яка дорівнює довжині пробігу іонів у перпендикулярному до поверхні напрямку. Зазвичай процеси розпилення стають суттєвими при дозах приблизно 10і7— 10Ів іон/см2. Навіть незначні легуючі домішки можуть суттєво змінити енергію зв'язку атомів матеріалу і, відповідно, коефіцієнт розпилення.

При бомбардуванні поверхні потоком іоиів може відбуватися значна зміна її будови. Характерним є утворення поверхневих ко-

Рис. 6.18. Пік зміщення: о — нормально розміщені атоми; • — атоми вкорінення; --траєкторія

частинки, яка імплантується; ----траєкторія

первинно вибитої частинки