де Хр і о можна отримати зі співвідношення, яке справедливе в інтервалі 6 Z 50, тобто від вуглецю до олова де А = 3,92ІО"6 + 1,5610-7; а = 1,777-2,16510"3; г0, г/см2; Е, кВ .Наприклад, положення піка, який відповідає максимуму поглиненої енергії і розподілу Гаусса для пучка електронів з енергією 20 кеВ в алюмінієвій мішені, знаходиться на глибині 1 мкм. Втрати енергії на зворотне розсіювання залежать від атомного номера речовини мішені, енергії і кута падіння пучка електронів. Залежність енергії відбитих електронів від атомного номера Zy разі нормального падіння пучка електронів з енергією £=30 кеВ наведено на рис. 6.12. Втрати енергії на зворотне розсіювання при електронно-променевому опроміненні порівняно з лазерним подібні до впливу коефіцієнта відбиття на введення енергії. Розподіл температури повторює розподіл введеної енергії, тобто максимум розплавлення спостерігається нижче від поверхні і збігається з максимумом розподілу втрат енергії. Відмінність від лазерного опромінення полягає в глибині досягнення максимальної температури і в мінімальній товщині розплавленого шару. При опроміненні електронним пучком товщина розплавленого шару становить щонайменше кілька мікрометрів. З цього факту випливають деякі наслідки для швидкості переміщення межі тверда фаза—розплав на стадії охолодження. Е„. „ „,Стадія охолодження при- £промблизно відповідає процесу охо- Лр = (0,143г+ 0,622)/-0; а = (-0,0538 Іп Z + 0,374)г0; г0 = АЕ", 20 лодження при лазерній обробці, в той час як стадія нагрівання повністю відрізняється від неї. Енергія вводиться на глибину, більшу, ніж для лазерного пучка, і шар завтовшки Рис. 6.12. Залежність підбитої енергії Е під атомного номера Z речовини мішені при нормальному падінні пуч- 20 60 г ка електронів з енергією £=30 кеВ
Карта
|
