4.9. Контрольні запитання

в)іони?

2.В якому вигляді переносяться частинки матеріалу, шо напилюються, при вакуумно-конденсаційному нанесенні покриття іонним розпиленням:

а)молекули;

в)іони?

3.Якими параметрами керується процес іонно-плазмового вакуумно-конденсаційного напилення покриття термічною сублімацією:

а)електричною потужністю джерела нагрівання; тиском у камері; дистанцією напилення; температурою поверхні виробу, шо напилюється;

б)питомою потужністю дуги; тиском у камері; дистанцією напилення; температурою поверхні виробу, що напилюється; індукцією магнітного поля; від'ємним потенціалом на виріб;

в)напругою на електродах; струмом розряду; густиною струму на мішені та питомою потужністю; величиною індукції магнітного поля та робочим струмом; тиском у камері; дистанцією напилення; температурою поверхні виробу, що напилюється?

4.При якому способі вакуумно-конденсаційного нанесення покриття іонним розпиленням буде найбільшою продуктивність процесу напилення:

а)діодному;

б)тріодному;

в)магнетронному?

5.Який параметр процесу вакуумно-конденсаційного нанесення покриття впливає на структуру покриття:

а)електрична потужність джерела нагрівання;

б)температура поверхні виробу, що напилюється;

в)тиск у камері?

6.Яке джерело нагрівання при вакуумно-конденсаційному нанесенні покриття термічним випаровуванням забезпечує більшу продуктивність процесу:

а)резистивне нагрівання;

б)високочастотне індукційне нагрівання;

в)електронно-променеве нагрівання?

7.Яке джерело нагрівання при вакуумно-конденсаційному нанесенні покриття термічним випаровуванням дає можливість формувати потік частинок, що напилюються, за допомогою системи стабілізації та фокусування: