4.9. Контрольні запитання в)іони? 2.В якому вигляді переносяться частинки матеріалу, шо напилюються, при вакуумно-конденсаційному нанесенні покриття іонним розпиленням: а)молекули; в)іони? 3.Якими параметрами керується процес іонно-плазмового вакуумно-конденсаційного напилення покриття термічною сублімацією: а)електричною потужністю джерела нагрівання; тиском у камері; дистанцією напилення; температурою поверхні виробу, шо напилюється; б)питомою потужністю дуги; тиском у камері; дистанцією напилення; температурою поверхні виробу, що напилюється; індукцією магнітного поля; від'ємним потенціалом на виріб; в)напругою на електродах; струмом розряду; густиною струму на мішені та питомою потужністю; величиною індукції магнітного поля та робочим струмом; тиском у камері; дистанцією напилення; температурою поверхні виробу, що напилюється? 4.При якому способі вакуумно-конденсаційного нанесення покриття іонним розпиленням буде найбільшою продуктивність процесу напилення: а)діодному; б)тріодному; в)магнетронному? 5.Який параметр процесу вакуумно-конденсаційного нанесення покриття впливає на структуру покриття: а)електрична потужність джерела нагрівання; б)температура поверхні виробу, що напилюється; в)тиск у камері? 6.Яке джерело нагрівання при вакуумно-конденсаційному нанесенні покриття термічним випаровуванням забезпечує більшу продуктивність процесу: а)резистивне нагрівання; б)високочастотне індукційне нагрівання; в)електронно-променеве нагрівання? 7.Яке джерело нагрівання при вакуумно-конденсаційному нанесенні покриття термічним випаровуванням дає можливість формувати потік частинок, що напилюються, за допомогою системи стабілізації та фокусування:
Карта
|