Я = ^,(4.53)

де /У0 — кількість вибитих атомів матеріалу, що розпилюється; /V, — кількість іонів, що падає на розпилюваний матеріал.

Як було вказано раніше, коефіцієнт розпилення 5 залежить від атомного номера та структури електронних оболонок. У табл. 4.5 наведені коефіцієнти розпилення та середні швидкості магнетронного напилення деяких матеріалів. Для розпилення використовували плоскі мішені діаметром 150 мм. Потужність тліючого розряду становить 4 кВт, дистанція напилення — 60 мм.

Великий вплив на ефективність процесу мають форма і розмір розпилюваного матеріалу. Розміри поверхні розпилення повинні відповідати потоку плазми тліючого розряду. Як правило, розміри поверхні розпилення беруть близькими до розмірів напилюваної поверхні. Залежно від способу іонного розпилення площу мішені, яка розпилюється, вибирають у широких межах — від десятків до тисяч квадратних сантиметрів.

Особливості процесу вакуумно-копденсаційпого реакційного напилення покриття. Вакуумно-конденсаціііне реакційне напилення покриття використовується у випадках, коли сполука, яка напилюється, розкладається при дії термічного поля.

Суть реакційного напилення в тому, що внаслідок зіткнення атомів металу і атомів реакційного газу — азоту, метану та інших газів — утворюються нітриди і карбіди. Для утворення оксидів використовують кисень.

Введення активних газів у вакуумну камеру забезпечує плазмо-хімічні реакції з речовиною, що розпилюється, і утворення на по-

Таблиця 4.5. Коефіцієнт розпилення в і швидкість зростання покриття Уп для деяких матеріалів

353