•підготовка матеріалу, що випаровується, та установка оптимального режиму випаровування;

•забезпечення необхідного температурного режиму конденсації.

Відносне положення випарника і поверхні виробу. Правильний вибір взаємного розміщення поверхонь, з якої випаровується і на якій конденсується матеріал, із урахуванням розмірів випарника і підкладки забезпечує отримання покриття заданої рівномірності товщини покриття.

Рівномірність товщини покриттів визначається тиском залишкових газів у камері та геометрією випаровування. Тиск залишкових газів впливає на рівномірність товщини покриття, особливо в інтервалі 0,13—0,65 Па. Зменшення тиску до 0,065 Па і менше забезпечує виключення впливу цього параметра на характер розподілу атомів і молекул, що випаровуються, в просторі над випарником і на характер розподілу товщини покриття вздовж поверхні виробу.

При ВКНП парові потоки можна описати законами Ламберта—Кнудсена. Перший закон констатує, що інтенсивність пари в напрямку поверхні напилення пропорційна косинусу кута розходження потоку від точкового джерела. Другий закон зв'язує кількість осадженого матеріалу в покритті залежно від дистанції напилення. Воно обернено пропорційне квадрату відстані від розпилювача до поверхні напилення.

Товщина плівки в довільній точці на поверхні виробу, віддаленого від точкового випарника на відстань А, за умови, що тиск у камері малий, і розсіяння частинок речовини, що випаровується внаслідок їх стикання між собою відсутнє, та випаровування відбувається із дзеркала розплаву, визначається виразом

де тс — маса речовини, що випаровується; р — густина речовини; И — відстань від поверхні випаровування до поверхні конденсації; / — відстань від центра підкладки до точки, що досліджується.

Для кільцевого випарника миттєве значення товщини покриття, який формується за проміжок часу сіх у довільній точці В з координатами И від елемента випарника площею сіБ на поверхні підкладки, визначається за формулою