Інженерія поверхні: Підручник






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Інженерія поверхні: Підручник

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 333 334 335 336 337 338 339... 545 546 547
 

•підготовка матеріалу, що випаровується, та установка оптимального режиму випаровування;

•забезпечення необхідного температурного режиму конденсації.

Відносне положення випарника і поверхні виробу. Правильний вибір взаємного розміщення поверхонь, з якої випаровується і на якій конденсується матеріал, із урахуванням розмірів випарника і підкладки забезпечує отримання покриття заданої рівномірності товщини покриття.

Рівномірність товщини покриттів визначається тиском залишкових газів у камері та геометрією випаровування. Тиск залишкових газів впливає на рівномірність товщини покриття, особливо в інтервалі 0,13—0,65 Па. Зменшення тиску до 0,065 Па і менше забезпечує виключення впливу цього параметра на характер розподілу атомів і молекул, що випаровуються, в просторі над випарником і на характер розподілу товщини покриття вздовж поверхні виробу.

При ВКНП парові потоки можна описати законами Ламберта—Кнудсена. Перший закон констатує, що інтенсивність пари в напрямку поверхні напилення пропорційна косинусу кута розходження потоку від точкового джерела. Другий закон зв'язує кількість осадженого матеріалу в покритті залежно від дистанції напилення. Воно обернено пропорційне квадрату відстані від розпилювача до поверхні напилення.

Товщина плівки в довільній точці на поверхні виробу, віддаленого від точкового випарника на відстань А, за умови, що тиск у камері малий, і розсіяння частинок речовини, що випаровується внаслідок їх стикання між собою відсутнє, та випаровування відбувається із дзеркала розплаву, визначається виразом

де тс — маса речовини, що випаровується; р — густина речовини; И — відстань від поверхні випаровування до поверхні конденсації; / — відстань від центра підкладки до точки, що досліджується.

Для кільцевого випарника миттєве значення товщини покриття, який формується за проміжок часу сіх у довільній точці В з координатами И від елемента випарника площею сіБ на поверхні підкладки, визначається за формулою

rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 333 334 335 336 337 338 339... 545 546 547

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Металлургия дуговой сварки: Процессы в дуге и плавление электродов
Металлургия дуговой сварки: Взаимодействие металла с газами
Дефекты сварных швов
Інженерія поверхні: Підручник
Соединение металлов в твердой фазе
Холодная сварка труб
Высокочастотная сварка металлов

rss
Карта