Рис. 4.42. Схема установки типу "Булат" з одним випарником

потік напилюваних частинок, відхиляють заряджені частинки з метою сепарації потоку.

Установки "Булат" мають пристрій для автоматичного напуску газу у вигляді голчастого натікача 4. Атмосфера в камері копт-

рол юється м ас -с г і е ктро м ет-

ром 3, завдяки чому з'являється можливість створення плазмових струменів із регульованим вмістом іонів різних елементів.

Крім установок типу "Булат", випускаються установки для конденсації з металевої плазми при іонному бомбардуванні типу "Пуск", "ІОніоп" та ін.

Основним призначенням практично всіх установок є зміцнення різального інструмента. Крім того, їх можна використати для нанесення покриття на деталі найширшого призначення.

Всеросійським інститутом авіаційних матеріалів (ВІАМ) розроблено установку для іопно-плазмового напилення МАР-ЇМ. Вона призначена для нанесення іонно-плазмового дифузійного покриття з композицій жароміцних сплавів, які забезпечують високу жароміцність, термостійкість та міцність від утомленості деталей, що працюють при високих температурах.

Установки для ВКНП іонним розпиленням. Для отримання покриття з металів, в тому числі тугоплавких сплавів, напівпровідників, діелектриків та іншого покриття конструктивного призначення, використовують установки нанесення покриття іонним бомбардуванням.

Найбільше поширення отримали установки з магнетронними розпилювальними системами (MPC). Це такі установки, як ZV1200, Z700P2/2 (фірми "Лейбольд-Хареус". Німеччина), МИР-16, МИР-2, MARS-650, УВН-6 та ін.

Порівняно з електропно-промепевим випаровуванням MPC забезпечують на два-три порядки виший ступінь іонізації і дозволяють отримати покриття більшої номенклатури складових компонентів. Енергія розпилюваних частинок при магнетронному розпиленні на порядок вища, ніж при електронно-променевому.