Наприклад, при Рк = 13,3 Па тільки 10 % атомів виходить за межі темного катодного простору.

На стабільність розряду значно впливає тиск робочого газу, а також на формування покриття. Із підвищенням тиску збільшується стабільність розряду. Але підвищення тиску не сприяє повному перенесенню частинок на поверхню напилення. Відбувається втрата енергії частинок та їх розсіювання в об'ємі камери. Залежно від способу іонного розпилення процес відбувається при тиску Рк= 10—10"2 Па.

Дуже впливає на процес розпилення вид робочого газу. Максимальне розпилення викликають іони елементів, в яких заповнені cf-оболонки (Cu, Ті, Ag та ін.) або ^-оболонки (Аг, Кг та ін.). Переважно як робочий газ використовують аргон — найбільш доступний та економічний. Використовуються інші інертні гази. Чим важчий газ, тим ефективніший процес розпилення.

Дистанцію напилення вибирають мінімальною. Вона знаходиться в межах 40—150 мм. Завдяки цьому коефіцієнт використання маси наближається до 100 %. Зі зменшенням відстані іонний струм зменшується і швидкість розпилення знижується.

Коефіцієнт розпилення матеріалу мало залежить від його температури. Але при іонному бомбардуванні на катоді виділяється приблизно 75 % потужності розряду. Для того щоб уникнути небажаного підплавлення поверхні, розпилюваний матеріал інтенсивно охолоджують. Це дає змогу значно підвищити густину струму і відповідно швидкість розпилення.

На показники ефективності процесу істотно впливають конструктивні фактори устаткування. Прикладом цього може бути введення гарячого катода та магнітної системи в двохелектродну схему, що значно інтенсифікує процес розпилення, знижує нагрівання анода і зменшує небезпеку перегрівання виробу, що напилюється.

Густина потоку напилюваних частинок знаходиться в широких межах. Найбільша густина 1020— 1022 частинокДсм2 ■ с) досягається при магнетронній схемі і близька до густини при електронно-променевому випаровуванні і дуговому напиленні випаровуванням та сублімацією матеріалу катода. Для діодної схеми розпилення густина потоку менша — 1014—1016 частинокДсм2 ■ с).

Від способу напилення також залежить ступінь іонізації. Діодна та тріодна схеми забезпечують ступінь іонізації, який становить приблизно 1 %. Магнетронна схема дає можливість збільшити ступінь іонізації розпилених атомів до 20 % і більше.