куумному реакційному напиленні (спосіб ARE) зносостійких покриттів, наприклад, при напиленні твердих зносостійких матеріалів на різальні та інші інструменти.

При використанні оптимальних параметрів режиму іонно-плазмового напилення можна утворити потоки з широкими межами показників:

•густина потоку частинок 1020— 1021 частинокДсм2 ■ с);

•енергія частинок 5—40 еВ;

•ступінь іонізації 20—90 %;

•швидкість частинок 103— 105 м/с;

•кількість конденсованої фази до 10 %. До переваг методу належать:

•універсальність за матеріалами, що напилюються, та покриттям;

•висока продуктивність процесу 1—3 мкм/хв і вище;

•висока якість покриття, особливо адгезійна міцність;

•достатня кількість керованих параметрів процесу та гнучкість їх регулювання;

•спрощене отримання покриття з рівномірною товщиною. До недоліків методу належить наявність у потоці значної

кількості сконденсованої фази. Це ускладнює установки для напилення внаслідок введення нових вузлів для сепарації потоку.

Перспективними напрямками розвитку процесу є використання анодної форми дуги, використання сканувального імпульсного, лазерного або електронного променя тощо.

Вакуумно-коііденсаційііе нанесення покриття іонним розпиленням. Іонне розпилення (sputtering) як метод отримання покриття полягає в бомбардуванні позитивними іонами твердої мішені (катода) з матеріалу, що наноситься, з подальшим осадженням розпилених частинок на поверхні деталей. Дуже часто цей процес називають катодним розпиленням.

Джерелом позитивних іонів є плазма тліючого розряду (постійного або високочастотного), яка горить у середовищі робочого газу при невисокому тиску в камері (1 — 10"' Па).

Робочим газом може бути або інертний газ (наприклад, аргон), або при реакційному напиленні активні гази: азот, оксид вуглецю тощо.

Іонні розпилювальні системи можна поділити на дві основні групи:

1) плазмоіонні, в яких мішень знаходиться в газорозрядній плазмі, що створюється тліючим дуговим або високочастотним