більше, спостерігається поблизу поверхні випаровування (розпилення). Це і зумовлює переміщення частинок у напрямку виробу, де тиск пари мінімальний.

Якщо частинка перебуває в іонізованому стані, то можна сформувати потік внаслідок дії на нього електродинамічних сил. Напилення покриттів з іонізованих парових потоків більш бажане, оскільки частинки мають більшу енергію, і це полегшує утворення покриттів.

Процеси реакційного термовакуумного випаровування, в яких корпускулярний потік частинок активується в зоні між джерелом речовини, шо випаровується, та поверхнею, на яку наноситься покриття, отримав назву активоване реакційне випаровування {Activated Reactive Evaporation — ARE).

Процеси реакційного осадження покриття внаслідок активування потоку частинок, отриманих іонним розпиленням при енергійному супутному бомбардуванні плівки, що росте, отримали назву реакційне іонне напилення {Reactive Ion Plating — RI1*).

Процеси іонного розпилення, активованого реакційного випаровування (ARE) та реакційного іонного напилення (RIP) отримали загальну назву іонно-плазмового напилення {Plasma-Assisted (Activated) Physical Vapor Deposition (PA PVD)).

Вакуумно конденсаційне напилення термічним випаровуванням. Найбільш висока ефективність випаровування досягається при нагріванні матеріалу вищому, ніж температура його плавлення. Але можливе утворення потоку з достатньою для напилення концентрацією частинок при випаровуванні твердого матеріалу (наприклад, випаровування хрому).

Узагальнена схема процесу напилення покриття термічним випаровуванням розплавленого матеріалу наведена на рис. 4.23.

Для нагрівання матеріалу, який розпилюється, використовують різні джерела теплоти: резистивні, індукційні, дугові, електронний або світловий промінь. Відповідно до цього і розрізняють способи напилення покриттів термічним випаровуванням.

Для будь-якого способу напилення необхідно мати випарник. Його призначення утримувати розплавлений матеріал при температурі, достатній для отримання потрібного тиску пари (1 — 100 Па). Для більшості матеріалів ці температури перевищують 1000 °С.

Найбільш чистий потік пари забезпечується при локальних способах нагрівання і утримання розплавленого матеріалу (рис. 4.23, б). При інших способах нагрівання відбувається контактування розплавленого матеріалу або з матеріалом нагрівника