Рис. 4.15. Тризонна мо дель структури покриттів

У третій зоні ІІ приблизно дорівнює енергії активації об'ємної самодифузії. Вказані значення енергії активації дають можливість одержати інформацію про механізми, які контролюють формування структури покриттів у кожній із структурних зон.

Низькі значення енергії активації, характерні для першої зони, відповідають значенням енергії активації переходу атомів між двома сусідніми положеннями рівноваги на поверхні Реалізація тільки цих переходів сприяє виникненню куполоподібних зародків конденсації, які потім ростуть, утворюючи конусоподібні кристали.

У другій структурній зоні розвивається більш складний механізм росту кристалів, який складається з двох послідовних процесів: утворення критичних зародків і подальшого їх розростання по поверхні до стикання один з одним. Внаслідок цього утворюються досить досконалі покриття з упорядкованим розташуванням лінійних недосконалостей у вигляді границь чи субгра-ниць стовпчастих кристалів.

У третій зоні внаслідок високої енергії активації розвиваються процеси збиральної рекристалізації та зростання зерна, що приводить до утворення рівноважної структури.

У товстих покриттях шари, які розміщені ближче до основи і тривалий час знаходяться при високих температурах, мають більш рівноважну структуру. Якщо нанесення покриттів здійснюється при температурі основи, близькій до Г2, то нижні шари матимуть рекристалізовану структуру, а верхні (холодніші) — стовпчасту.

У покриттях сплавів типу твердих розчинів спостерігається більш дрібнозерниста структура порівняно з покриттями із чистих металів.

У двофазних покриттях змінного складу завжди спостерігається подрібнення стовпчастих кристалів з одночасним збіль-