Інженерія поверхні: Підручник






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Інженерія поверхні: Підручник

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 265 266 267 268 269 270 271... 545 546 547
 

Оскільки Еп = 1.4 еВ, то час знаходження атома на поверхні завжди набагато більший від часу релаксації навіть при високих значеннях температури основи (Г0). Коли поверхня основи забруднена (Еа » кТ), то і в цьому випадку може бути /„» /3, тобто адсорбований атом не досягає термічної рівноваги і має температуру Т, вищу від температури поверхні основи (гарячий атом), а також велику імовірність ревипаровування.

Якщо є надлишок енергії, то атом на поверхні може переміщуватись. Середнє значення відстані переміщення атома в стані адсорбції становить

де / — час переміщення в стані адсорбції; й — коефіцієнт дифузії адсорбованого атома:

Б = а2у ехрі -

(4.29)

де а — відстань між сусідніми положеннями рівноваги атома на шляху його переміщення; ІІ$— енергія активації, яка необхідна для переходу атома між двома сусідніми положеннями рівноваги. Після деяких перетворень отримаємо

(4.30)

Якщо відстань між двома сусідніми положеннями рівноваги атома (а) більша за середню довжину переміщення атома в стані адсорбції (К), то атом не переміщується по поверхні і виконується нерівність Еи и5. У цьому випадку атом може полишити поверхню основи. Міграція починається, коли К а і відповідно

Якщо вважати, шо ЕЛ = 0,5Е, ІІ5 = Е/6, Е= 3 еВ, то при температурі 1000 К отримуємо = 3 ■ 102«, тобто атом може здійснити приблизно 300 перескоків по поверхні до десорбції. За цей час він стикається з іншими атомами і разом із ними утворює стійкий зародок чи приєднується до вже створеного зародка, що розростається.

Скупчення атомів, які затримуються в потенціальних ямах на відстанях, кратних міжатомним відстаням основи (рис. 4.11), є початком утворення центрів конденсації чи зародків нової фази.

rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 265 266 267 268 269 270 271... 545 546 547

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Металлургия дуговой сварки: Процессы в дуге и плавление электродов
Металлургия дуговой сварки: Взаимодействие металла с газами
Дефекты сварных швов
Інженерія поверхні: Підручник
Соединение металлов в твердой фазе
Холодная сварка труб
Высокочастотная сварка металлов

rss
Карта