Оскільки Еп = 1 .4 еВ, то час знаходження атома на поверхні завжди набагато більший від часу релаксації навіть при високих значеннях температури основи (Г0). Коли поверхня основи забруднена (Еа » кТ), то і в цьому випадку може бути /„» /3, тобто адсорбований атом не досягає термічної рівноваги і має температуру Т, вищу від температури поверхні основи (гарячий атом), а також велику імовірність ревипаровування.Якщо є надлишок енергії, то атом на поверхні може переміщуватись. Середнє значення відстані переміщення атома в стані адсорбції становить де / — час переміщення в стані адсорбції; й — коефіцієнт дифузії адсорбованого атома: Б = а2у ехрі - (4.29) де а — відстань між сусідніми положеннями рівноваги атома на шляху його переміщення; ІІ$— енергія активації, яка необхідна для переходу атома між двома сусідніми положеннями рівноваги. Після деяких перетворень отримаємо (4.30) Якщо відстань між двома сусідніми положеннями рівноваги атома (а) більша за середню довжину переміщення атома в стані адсорбції (К), то атом не переміщується по поверхні і виконується нерівність Еи и5. У цьому випадку атом може полишити поверхню основи. Міграція починається, коли К а і відповідно Якщо вважати, шо ЕЛ = 0,5Е, ІІ5 = Е/6, Е= 3 еВ, то при температурі 1000 К отримуємо = 3 ■ 102«, тобто атом може здійснити приблизно 300 перескоків по поверхні до десорбції. За цей час він стикається з іншими атомами і разом із ними утворює стійкий зародок чи приєднується до вже створеного зародка, що розростається. Скупчення атомів, які затримуються в потенціальних ямах на відстанях, кратних міжатомним відстаням основи (рис. 4.11), є початком утворення центрів конденсації чи зародків нової фази.
Карта
|
|