"МС=^Р,(4.20)

де na — число Авогадро; р — густина матеріалу, г/см3; в^ — швидкість конденсації металу, см/с; мш — молекулярна (атомна) маса металу.

Кількість молекул газу, які стикаються з поверхнею напилення (мольДсм2 ■ с)), обчислюється за формулою

де /;г — парціальний тиск газу, Па; мт — молекулярна маса газу; Гг — температура газу, звичайно тт = 300 °С.

Наприклад, при отриманні ТІК за реакцією Ті + N = ТіК при

швидкості конденсації и£' = 6-10_6 м/с (м = 48, р = 4,5 г/см3) маємо

6,02-10"-4,5-6 106 ,. т17 „ 2 ч N7^, = —---= 3,4-10" атДсм2 ■ с).

Для отримання аналогічної частоти зіткнення молекул необхідно, щоб парціальний тиск становив

'*2 2,63-10202,63-1020

Таким чином, при тиску 10_1 Па буде утворюватись ТіТМ.

Реакцію між атомами металу і газу можна стимулювати їх іонізацією. В іонізованому вигляді компоненти легше утворюють необхідні сполуки.

Вищі тиски газів у камері при реакційному напиленні порівняно з прямим випаровуванням або з розпиленням матеріалу підвищують імовірність зіткнення і дифузійного розсіяння конденсованих атомів та іонів.