Інженерія поверхні: Підручник
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 261 262 263 264 265 266 267... 545 546 547
|
|
|
|
Значення 5, визначене з рівняння (4 .18), якісно узгоджується з експериментальними даними, отриманими за результатами втрати маси зразка, який опромінюється, з такого рівняння:5 = 26,6^-,(4 .19)де Ат — втрата маси, мкг; А — масове число атомів зразка; у — іонний струм, мкА; / — час опромінення .Вказана різниця середніх енергій розпилених частинок і атомів після випаровування відбивається на структурі і властивостях вакуумних конденсатів. Конденсатам, отриманим розпиленням, як правило, властиві більш досконала структура і висока адгезія до основи. Розпилення дає можливість отримувати багатокомпонентні системи без зміни хімічного складу конденсагів. Однаковий хімічний склад розпилюваної речовини і конденсату залишається також і в системах, компоненти яких мають коефіцієнти розпилення, що суттєво розрізняються. Це пояснюється структурно-кінетичними закономірностями розпилення багатокомпонентних систем. У перший момент розпилення з поверхні складного сплаву починає відділятися компонент, коефіцієнт розпилення якого найбільший. На поверхні формується так званий змінений шар, збіднений на компонент із великим коефіцієнтом розпилення. Швидкість розпилення цього компонента уповільнюється, в той час як відносна швидкість розпилення другого зростає. Під час подальшого бомбардування процес стабілізується: розпилення сплаву супроводжується збереженням складу і товщини зміненого шару, який виконує роль автоматичного регулятора швидкостей розпилення. Відмінність у складі виникає, коли катод, який розпилюється, має досить високу температуру, близьку до температури плавлення. При цьому конденсат збагачується на компонент із найбільшим коефіцієнтом розпилення. Реакційне випаровування і розпилення. Деякі покриття отримують за допомогою реакцій між атомами парового потоку металу і атомами спеціально поданих у камеру хімічно активних газів. Такий процес називають реакційним. Найбільш поширеним прикладом такого процесу є формування покриттів із ТіИ при випаровуванні чи розпиленні в середовищі И2. Для реакційного напилення покриттів необхідно знати, при якому тиску робочого газу буде забезпечено синтез потрібної сполуки. Для практичних завдань це можна вирішити таким чином.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 261 262 263 264 265 266 267... 545 546 547
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |