Як правило, h = 250.300 мм, тому відношення d/dQ = 0,5 буде при І/Н = 0,6, тобто при /= 150.180 мм.

Випаровування таких сполук, як оксиди, карбіди, бориди, силіциди, нітриди, супроводжується зміною типу вихідних молекул. Для більшості тугоплавких сполук характерна дисоціація вихідних молекул з утворенням газоподібних продуктів. Наприклад, при випаровуванні рідкої фази А1203 і ZrC утворюються такі продукти дисоціації (в порядку зменшення об'ємної концентрації в газовій фазі):

А120, - О, AI, АЮ, А120, О,, А1203,

ZrC -» Zr, С, С2, С3.

Досвід показав, шо практично без змін складу можуть бути отримані покриття сполук:

•оксиди — А1203, Y203, MgO, Zr02, Si02;

•карбіди — TiC, ZrC, NbC;

•бориди — TiB2, ZrBj.

Інші сполуки, наприклад WC, SiC, AIN, TiN, ZrN, при нагріванні розпадаються з утворенням продуктів із різко відмінною леткістю і тому не можуть осаджуватись прямим випаровуванням.

4.2. Розпилення

Створення атомарних, молекулярних та іонних потоків при нанесенні вакуумних покриттів здійснюється також розпиленням твердого матеріалу без його переведення в рідкий стан. Для розпилення застосовують іонне бомбардування, оскільки іони легко довести до необхідної швидкості.

Бомбардувальний іон вибиває атоми з вузлів кристалічної ґратки внаслідок передачі імпульсу. Атоми, розміщені на поверхні матеріалу, одразу переходять у газоподібний стан, а атоми, які знаходяться на деякій відстані від поверхні, передають імпульс іншим атомам ґратки, викликаючи каскад зіткнень (рис. 4.5).

Особливості зіткнення падаючого іона залежать від його енергії. Енергії іонів поділяють таким чином (рис. 4.6): високі — коли іон пролітає поблизу ядра, і взаємодія зводиться до куло-нівського відштовхування; проміжні — коли виявляється екрану-вальна дія електронних оболонок; малі — коли відбувається незначне проникнення в електронні оболонки.