важний тиск пари компонента В при температурі Т; С0РВ, С^в —

концентрація компонента В в рідкій ванні відповідно в початковий період і через час /п.

Концентрація компонента В в кінці перехідного періоду становить

-"С0',+100-СЙ,)*,'( }

де Кв визначається з (4.11).

Для отримання однорідного покриття сплави з суттєво різним парціальним тиском компонентів випаровують з окремих незалежних джерел (рис. 4.3).

Розподіл матеріалу з кожного точкового джерела підпорядковується косинусоїдальному закону:

—---уСОБф,(4.14)

де с\т — маса матеріалу, осадженого на елементі поверхні &; т — загальна кількість випаруваного матеріалу; /г — відстань від випарника до поверхні напилення; ф — кут між напрямком парового потоку і нормаллю до елемента поверхні.

Товщина покриття сі в кожній точні залежить від її положення відносно осі плями напилення і може бути знайдена зі співвідношення (рис. 4.4)

"'і

де сі — товщина покриття на відстані / від осі плями напилення; с!0 — товщина в центрі плями напилення; И — відстань від джерела до основи.

у///т/ш////////т///ш/////////т , Рис. 4.3ш Сжма випаровування 3

трьох джерел

Рис. 4.4. Профіль плями напилення