тер. Використовуючи модель нагрівання й руху частинок у плазмовому струмені, можна оцінити зв'язок КВП з газоелектричним режимом роботи плазмотрона і властивостями напиленого матеріалу на висхідній частині цієї залежності.

Для випадку нагрівання порошку в аргоновому плазмовому струмені на плазмотроні установки УМП-5-68 маємо

1,555-3.68 109

(/«ЛітГ

Експериментально отримана залежність КВП для різних матеріалів на цьому плазмотроні свідчить про задовільний збіг результатів експерименту з попередньою оцінкою (рис. 3.66).

Нанесення покриття на задану площу відбувається внаслідок лінійного переміщення плазмотрона в поєднанні з обертанням деталі (при напиленні тіл обертання) або з поперечним переміщенням плазмотрона чи деталі (при напиленні на площину). При однократному лінійному переміщенні плазмотрона напилений матеріал утворює валик покриття, поперечний переріз якого описується гауссовою кривою:

квп, %

де у0 — товщина покриття на осі валика; г — відстань від осі валика; г0 — радіус розсіювання.

Радіус розсіювання залежить від конструкції плазмотрона (діаметра анода, способу газової стабілізації і т.д.) і режиму напилення (електричної потужності, складу і витрати плазмоутворювального газу, дистанції напилення). Звичайно, його значення знаходяться в діапазоні 10—15 мм.

Рис. 3.66. Вплив електричної потужності Рс плазмотрона УМП-5 на коефіцієнт використання матеріалу: / - АІ; 2 - 3 - Сг; 4 - АІ,0,; 5 -ТіВ,; 6 — Сг»С:; 7— розрахунковий рівень