Рис. 3.64. Залежність режиму плазмового напилення матеріалу від параметра складності плавлення (за даними фірми "Плазмадайн"): ІЛ »2 40 ^ • — мет&іи, сплави, чисті елементи; 1 — оксиди; А — тугоплавкі сполуки; / — сила струму; V — напруга; Кг — витрата робочого газу; ііч — діаметр частинки 2 О0,5, 105кДж/(кг-м3) У загальному вигляді вираз для попередньої інженерної оцінки режиму плазмового напилення конкретного дисперсного матеріалу можна записати так: де Кр — стала плазмотрона, що залежить від складу газу; я і т — степеневі показники при І і Уг, зумовлені залежністю г\Т = Оскільки напруга (£/) визначається переважно конструкцією плазмотрона і складом плазмоутворювального газу, то при наявності матеріалу певної дисперсності вибір режиму його напилення полягає у встановленні оптимальної комбінації сили струму й витрати плазмоутворювального газу при вихідному мінімальному рівні відношення /" / V" А^Д,/)0'5^/"1. Нижній рівень витрати газу в багатьох випадках пов'язаний з умовами роботи анода й оцінюється в межах 25—35 дм3/хв. Особливий випадок являє собою вибір режиму напилення при використанні композиційних порошків, де в об'ємі однієї частинки об'єднані матеріали з різною температурою плавлення й різною густиною. Розрахунково-теоретичний аналіз свідчить про дієвість введення різних добавок на умови плавлення дисперсного матеріалу в плазмовому струмені. Так, введення нікелю в частинки оксиду алюмінію полегшує переведення кераміки в розплавлений стан, тоді як для плавлення нікелю в об'ємі такої композиційної частинки доводиться, навпаки, використовувати вищу електричну потужність плазмотрона (рис. 3.65, криві 2 і 4). Цей ефект був підтверджений і експериментальним шляхом. У композиції нікель — карбід вольфраму вплив компонентів має протилежний характер (рис. 3.65, криві / і 3). Діапазон зна- І"и КрУгтеІчіУ (3.64) 15 - - 7-1Ш
Карта
|
