обходимы двойникующие дислокации
с вектором Бюргерса, значение которого меньше параметра решетки, т. е.
частичные дислокации. Двой-никование происходит при движении под действием
напряжения специальной двойникующей дислокации СО (рис. 2.12, б),
которая представляет собой частичную дислокацию Шокли, связанную с
дефектами упаковки в кристаллической решетке. Она является границей
дефекта упаковки, отделяющей его от совершенной решетки, и расположена в
плоскости дефекта упаковки. Вектор Бюргерса частичной дислокации Шокли
находится в плоскости дефекта упаковки, служащей плоскостью
скольжения дислокации. Вектор Бюргерса двойникующей частичной дислокации в
металлах с ГЦК решеткой равен я/6 [112], а в металлах с ОЦК решеткой —
а/6 [111].
Двойникующая дислокация
перемещается скольжением в кристаллографической плоскости
двойникования. Пробег двойникующей дислокации в одной плоскости
способствует переходу в двойниковую ориентацию одного слоя атомов. Для
образования многослойного двойника (видимого в микроскоп),
необходимо, чтобы в каждом из параллельных слоев решетки участка с
дефектом упаковки зарождалась и скользила двойникующая дислокация.
Двойникование облегчается, если рядом с двойникующей дислокацией
имеется другая с винтовой ориентацией, у которой вектор Бюргерса
перпендикулярен к плоскости дефекта упаковки. Винтовая дислокация
способствует скольжению двойникующей дислокации по винтовой поверхности.
Двойникующая дислокация все время движется вокруг линии винтовой
дислокации, при этом дефект упаковки распространяется по винтовой
поверхности и атомы переходят в новое двойниковое положение на каждом
горизонте. Если на пути скольжения двойникующей дислокации
встречается препятствие, она его обходит путем поперечного
скольжения. При этом ширина двойника изменяется.
Двойниковая область ограничена
двумя параллельными линиями — границами. Возможны клиновидная (рис.
2.12, в) и линзообразная формы двойников. Двойник может
образоваться и в процессе движения дисклинации. Например, при
перемещении части дисклинационной петли вдоль вектора поворота со
сместившаяся дуга выпрямляется до прямоугольной конфигурации (рис. 2.12,
г). Аналогичное преобразование испытывает и другая часть
петли, движущаяся вдоль вектора поворота в противоположном
направлении.
Ширина образующегося двойника
зависит от скорости движения двойникующей дислокации. Сдвиг
кристаллической решетки создает большие напряжения. Существует критическая
стадия упругого роста двойника, если в этот момент снять нагрузку, двойник
захлопнется (исчезнет). Критическая ширина двойника составляет величину
порядка 2 • Ю-4 см (это около 100 слоев в двойнике).
Двойник растет в две стадии:
1. Динамический рост, когда двойник удлиняется
в плоскости двойникования, а ширина его почти не
меняется. Скорость роста на этой стадии составляет 5000—6000 м/с, т. е.
близка к скорости распространения звука в металлах.
2. Развитие в толщину, когда скорость роста
достигает 50—200 м/с. Высокая скорость роста двойников объясняется
значительной концент-
