непрерывной, а дислокация
оканчивается на дисклинации. На дисклинации появляется ступенька с
винтовой ориентацией, из которой в дальнейшем может выходить как винтовая,
так и краевая дислокация.
Дисклинации взаимодействуют с
точечными дефектами. Вакансии и межузельные атомы могут как притягиваться
к дисклинации, так и отталкиваться от нее. Например, вакансия
притягива-'тся к отрицательной клиновой дисклинации и отталкивается
от положительной. Как и дислокации, дисклинации переползают в кристалле,
поглощая или испуская точечные дефекты.
Дисклинации возникают в
кристалле при пластической деформации. Источник дисклинации аналогичен
источнику дислокаций Франка — Рида.
§ 3. Поверхностные дефекты
Внутренние границы кристаллов
являются мало- и среднеугловыми границами. В процессе роста кристалла при
кристаллизации металла атомы присоединяются к поверхности кристалла. При
этом происходят ничтожно малые нарушения кристаллической решетки. В
результате накопления нарушений в направлении роста кристалла через
какое-то расстояние должно наметиться искажение кристаллической решетки.
Подобного рода нарушения усугубляются тем, что наращивание кристалла
происходит одновременно в разных местах его поверхности и при встрече
таких участков окажется неизбежной их некоторая разориентация. В
результате кристаллическая решетка оказывается разделенной на участки,
именуемые блоками, повернутыми
относительно друг друга на небольшие углы (рис. 1.21). Границы
блоков
