ницу длины дислокации) упругая 
      энергия искажений кристаллической решетки, связанных с дислокацией ^упр, пропорциональна квадрату вектора 
      Бюргерса. Для краевой дислокации
      
 (1.3> 
      для винтовой
      
 (1.4) 
      где в — модуль сдвига; / 
      — длина дислокации; /?к — радиус кристалла; ^0 
      — радиус ядра дислокации; р — коэффициент Пуассона.
      Расчетами установлено, что 
      энергия дислокации значительна по величине и может составлять 2—4 эВ, если 
      длина дислокации невелика и соответствует размеру вектора Бюргерса. У 
      дислокаций большего размера энергия значительно выше. Энергия 
      винтовой дислокации примерно на одну треть меньше, чем 
      краевой.
      Движение дислокаций 
      разнообразно. Заштрихованные области на рис. 1.8, а, 1.9, о, 1.10, 
      а являются зонами сдвига одной части кристалла относительно другой в 
      результате движения дислокации в плоскости скольжения. Таким образом, 
      дислокация является линейным дефектом, образующим внутри кристалла зону 
      сдвига. Краевая дислокация движется в направлении, параллельном 
      вектору Бюргерса, винтовая — в направлении, перпендикулярном к вектору 
      Бюргерса.
      Под действием сдвигающих 
      напряжений становится возможным движение дислокации вдоль плоскости 
      скольжения. Такое движение называют скольжением дислокации. Скольжение краевой 
      дислокации происходит путем эстафетной передачи роли экстраплоскости 
      следующим в направлении сдвига атомным плоскостям. В отличие от 
      диффузионного движения скользящее движение дислокации не 
      сопровождается подводом новых атомов, т. е. при скольжении дислокации не 
      происходит перенос массы вещества. Винтовая дислокация также 
      перемещается в плоскости скольжения в результате передвижения атомов 
      внутри ядра дислокации на расстояния, составляющие доли периода 
      решетки в направлении действия напряжения.
      Одной из форм движения 
      дислокаций является так называемое «диффузионное» движение или переползание за счет присоединения 
      новых атомов к краю экстраплоскости дислокации или ухода атомов от края 
      экстраплоскости в межузельное пространство-в результате теплового движения 
      атомов, т. е. присоединения вакансий. В обоих случаях изменяется 
      величина экстраплоскости, а значит, и плоскость скольжения дислокации. 
      Такое движение наблюдается только у краевых дислокаций и направлено оно 
      перпендикулярно к плоскости скольжения. Этапы присоединения к 
      дислокации (экстраплоскость ее изображена черными кружками) вакансии 
      (штриховой кружок) и нового атома показаны на рис. 1.12.
      При взаимодействии дислокаций с 
      точечными дефектами (вакансиями и межузельными атомами) происходит 
      взаимодействие упругих полей напряжений линейных и точечных дефектов. 
      Межузельные атомы притягиваются к области растяжения ядра дислокации, 
      вакансии — к области сжатия. В результате присоединения вакансий или 
      межузельных атомов к краю экстраплоскости на последней образуются 
      ступеньки. Точечные дефекты при этом исчезают. В процессе 
      медленного