Основы металлографии и пластической деформации стали
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 15 16 17 18 19 20 21... 237 238 239
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Дислокации. Представление о них
как о линейных дефектах атомной структуры кристаллических материалов
возникло при попытках объяснить причины большого расхождения между
теоретически вычисленным скалывающим напряжением, необходимым для
деформации металла, и значением такого напряжения, определенным
экспериментально. Теоретическое значение оказывается больше
экспериментального в Ю3—104 раз. Такая разница
между расчетной и экспериментальной величинами свидетельствует о том,
что механизм процесса сдвига при деформации, основанный на предположении,
что части кристалла при этом смещаются относительно друг друга вдоль
плоскости скольжения как жесткие системы, не соответствует
реальности. Это объясняется тем, что в кристалле, находящемся под
внешним напряжением, взаимодействуют уже существующие в нем и возникающие
под влиянием внешнего напряжения особого рода дефекты кристаллической
решетки, названные дислокациями.
Схема краевой дислокации
показана на рис. 1.8. Если в кристалле сделать разрез по плоскости
АВСБ и сдвинуть части кристалла вдоль плоскости разреза,
перпендикулярно к краю надреза, что полученная граница А В между
участком, где скольжение уже произошло, и ненарушенным участком будет
краевой дислокацией (рис. 1.8, а). Представим себе, что в
части кристалла по каким-либо причинам появилась лишняя полуплоскость
атомов, так называемая экстраплоскость (рис. 1.8, б, е).
Вблизи края экстрлллоскости решетка сильно искажена. В этом
участке кристалла против п атомов одного ряда располагается я + 1
или п — 1 атомов другого ряда. Выше края экстраплоскости
(линия АВ на рис. 1.8, б) межатомные расстояния меньше параметра
решетки, а ниже края — больше. Атом на самой кромке экстраплоскости имеет
меньше соседей, чем внутри совершенной решетки. Таким образом, вдоль
края экстраплоскости находится область с несовершенной решеткой, которая
является краевой дислокацией.
Ядром или центром дислокации называют осевую зону дефектного участка
кристалла, где очень сильны искажения решетки. Положение ядра
дислокации в кристаллографической плоскости, являющейся плоскостью
чертежа, обозначается знаком _|_. Совокупность таких центров в
параллельных атомных плоскостях образует линию дислокации. Если экстраплоскость
находится |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Рис. 1.8. Сдвиг в кристалле,
создавший краевую дислокацию (а),
схема расположения атомов в зоип пипшв и МВДЫ'ь
положительной краевой дислокации (в) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 15 16 17 18 19 20 21... 237 238 239
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |