Основы металлографии и пластической деформации стали






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Основы металлографии и пластической деформации стали

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 15 16 17 18 19 20 21... 237 238 239
 

§ 2. Линейные дефекты
Дислокации. Представление о них как о линейных дефектах атом­ной структуры кристаллических материалов возникло при попытках объяснить причины большого расхождения между теоретически вы­численным скалывающим напряжением, необходимым для деформации металла, и значением такого напряжения, определенным эксперимен­тально. Теоретическое значение оказывается больше эксперименталь­ного в Ю3—104 раз. Такая разница между расчетной и эксперименталь­ной величинами свидетельствует о том, что механизм процесса сдвига при деформации, основанный на предположении, что части кристалла при этом смещаются относительно друг друга вдоль плоскости сколь­жения как жесткие системы, не соответствует реальности. Это объясня­ется тем, что в кристалле, находящемся под внешним напряжением, взаимодействуют уже существующие в нем и возникающие под влияни­ем внешнего напряжения особого рода дефекты кристаллической ре­шетки, названные дислокациями.
Схема краевой дислокации показана на рис. 1.8. Если в кристалле сделать разрез по плоскости АВСБ и сдвинуть части кристалла вдоль плоскости разреза, перпендикулярно к краю надреза, что полученная граница А В между участком, где скольжение уже произошло, и нена­рушенным участком будет краевой дислокацией (рис. 1.8, а). Пред­ставим себе, что в части кристалла по каким-либо причинам появилась лишняя полуплоскость атомов, так называемая экстрапло­скость (рис. 1.8, б, е). Вблизи края экстрлллоскости решетка силь­но искажена. В этом участке кристалла против п атомов одного ряда располагается я + 1 или п — 1 атомов другого ряда. Выше края экст­раплоскости (линия АВ на рис. 1.8, б) межатомные расстояния меньше параметра решетки, а ниже края — больше. Атом на самой кромке экстраплоскости имеет меньше соседей, чем внутри совершенной ре­шетки. Таким образом, вдоль края экстраплоскости находится область с несовершенной решеткой, которая является краевой дислокацией.
Ядром или центром дислокации называют осевую зону дефектного участка кристалла, где очень сильны искажения решет­ки. Положение ядра дислокации в кристаллографической плоскости, являющейся плоскостью чертежа, обозначается знаком _|_. Совокуп­ность таких центров в параллельных атомных плоскостях обра­зует линию дислокации. Если экстраплоскость находится
Рис. 1.8. Сдвиг в кристалле, создавший краевую дислокацию (а), схема расположе­ния атомов в зоип пипшв и МВДЫ'ь положительной краевой дислокации (в)
17
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 15 16 17 18 19 20 21... 237 238 239

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Конструкционные материалы: Справочник
Основы металлографии и пластической деформации стали
Оборудование для контактной сварки постоянным током
Справочник конструктора металлических конструкций
Сварные конструкции. Механика разрушения и критерии работоспособности

rss
Карта