аш»х______Рис. 3.113. Номограмма для определения

о^,„ для заданной критической V*. Соотношение Ук0~' составляет: 1 - 0,3; 2 - 0,4; 3 - 0,5; 4- 0,6

Ук, получена номограмма (рис. 3.113) по определению максимально возможного угла а для заданной критической Ук, при которых Уа будет 0,04 0,08 о.12 одб укЮ минимальной.

При этом с увеличением В минимальное К0 уменьшается. Если полученное таким образом значение К0 для принятой толщины плакирующего элемента будет недостаточным для образования волн на границе соединения, превышающих размеры микронеровностей на свариваемых поверхностях, то последние необходимо подвергать тщательному механическому удалению. По указанным соображениям в качестве ВВ был взят продукт по ОСТ 84-1994—82, у которого В = 7600 м/с, а критическая толщина меньше 0,5 мм. Все это позволило уменьшить для принятой толщины плакирующего элемента 3,2 мм необходимую толщину слоя ВВ до 2,0 мм.

Вторая задача заключалась в разработке технологической схемы локальной СВ, позволяющей регулировать с высокой степенью точности заданные режимы соударения и геометрические параметры получаемого соединения и одновременно решать вопросы локализации сварочного импульса заряда ВВ и полной ликвидации краевых неприваров. На рис. 3.114 представлена одна из таких схем, в соответствии с которой для обеспечения заданного режима соударения по всей площади плакируемой криволинейной поверхности оболочки угол между касательными к соответствующим точкам соударения свариваемых поверхностей сохраняется постоянным, а для стабилизации режима на периферийном участке плакирующего элемента указанный угол ступенчато уменьшается (на расстоянии, равном примерно 2/3 длины плакирования от начала соударения). Для ликвидации краевого непривара на некотором расстоянии от края плакирующего элемента со стороны свариваемой поверхности выполняется надрез специальной формы.

Третья задача состояла в разработке противодеформационной опоры. Для ее решения использовался легкоплавкий сплав Розе, обеспечивший

Рис. 3.114. Метаемый участок плакирующего элемента:

/ — надрез; 2 — заряд ВВ; 3 — плакирующий элемент; 4— стенка оболочки (А—* В, С-* О, с"—» —* г — соответствующие точки соударения; углы между касательными к соответствующим точкам соударения а, = 12°, = 10°, аэ = 8°)