А£—Мп, Ае—№, А1—Ы, А1—С6, А1—Гп, А1—РЬ, В[—Ся, В1—8\, Вь-гп, С«1—в, Си—РЬ, Ре—РЬ. РЬ—гп,

А1—йа, А1—Н& А1—2п, Вь-Си, В!—Не, Си—Ц

Ад-Си, Ад—Ое, Аё— РЬ, Ад—Б!, А1—Ое, А1—Б!, Ап—йе, Аи—Вь-СМ, В\—Бп, Са—РЬ, Са—гп,

Аи—Си, Аи—№, Си—Мп, Ре—Ра, Ре—N1, №—Мп, №—Ра

Аг—РЛ, В[—вЬ, Си—N1, СЗ—Мд, Си— Ад—Мд, Ад—Сй, Ад—Гп, Ад—йа, Ад—БЬ, Аё—Ти А£—гп, Ад—Бп, А£—В1, А1—П, Аи—Ви Аи—РЬ, В1—N1, Си—Оа, Си—Гп, Си—Бп, Си—гп, Ре—гп,

А1—Си, А1—М& Аи—Сй, Си—Р, Ре—51, Т1—Бп

невозможна, в остальных случаях возможна при значительной Сж, (Сж — 2. Прослойка химического соединения ие образуется в случаях а—е, в о, б, ж—и равна *11Л основы припоя {В), в остальных случаях 1расп— в случае з пористость наблюдается при плохом диспергировании окислов.