Рис. 16. Иллюстрация изменения скорости движения дислокации при выходе их на свободную поверхность:

а-Се,Т = 653 К; т = 30 МПа. X 30 [ 85]; б - Х25 ] 84]

координационных чисел, параметров решетки, характера и типа межатомных связей и, как следствие, в различии динамических параметров кристаллической решетки вблизи поверхности и внутри кристалла (частоты и амплитуды колебаний атомов, температуры Дебая и др.). Указанные факторы могут существенно влиять на энергию образования и равновесную концентрацию точечных дефектов вблизи свободной поверхности, а также на энергию образования одиночного или двойного перегиба в пайерлсовской модели движения дислокаций и соответственно на скорость ее движения у поверхности [81]. Специфика влияния внешней среды на особенности пластической деформации поверхностных слоев кристаллов была рассмотрена в работах [ 89 — 911.