пиях не обнаружили такого слоя вблизи поверхности. Фурье [ 55, 56] и Муграби [ 57] нашли, что вблизи поверхности плотность дислокаций значительно ниже, чем в объеме кристалла. Брудгес [ 58], анализируя результаты перечисленных работ, также ставит под сомнение возможность существования ^ебга-слоя вблизи поверхности деформируемого образца. Ряд других авторов, например Латансион и Стакле [ 59], Фабиняк и Кульман-Вильсдорф [ 60] придерживаются более осторожной и компромиссной точки зрения, считая, что в настоящее время вопрос о более прочном и более слабом поверхностном слое экспериментально еще однозначно не решен. При этом авторы работ [ 59,60] считают, что в общем случае поверхность может

действенно влиять на кинетику пластического течения и служить источником зарождения и размножения дислокаций, а также барьером для выхода их на поверхность кристалла.

Рис. 10. Образование градиен-

та плотности дислокаций* *, ,

вблизи свободной поверхнос-/

ти монокристалла кремния на начальной стадии деформирования; Т= 1073 К; е =0,42%; XI300

Поскольку во всех указанных работах исследования проводили на материале с высокой релаксационной способностью (меди), можно предполагать, что именно это и служило одной из главных причин получения противоречивых экспериментальных данных. В связи с этим в работе [61] в качестве объекта исследования был выбран материал с жесткой алмазоподобной решеткой — бездислокационный монокристаллический кремний. Исследованием дислокационной структуры в поперечном сечении образца методом ямок травления было показано, что, действительно, в псевдоупругой области деформирования до достижения предела текучести ("зуба" текучести) макроскощ'*. — ^ деформация .материала в основном протекает именно в приповерхностных слоях материала на глубине до 40 — 60 • 10~6 ^г :ш 1йтпагийяя его внутренние объемные слои (рис. 10)ТПри э'1 плотность дислокаций в пределах этого слоя изменяется от 10 \° — 1011 м ~г непосредственно вблизи поверхности до без-дислокационного уровня в объеме кристалла.

Эти данные были подтверждены послойными электронномикроскопи-ческими исследованиями [ 62]. Методом разгружения — повторного нагру-