Рис. 8. Кривые растяжения чистого поликристаллического алюминия без удаления поверхностного слоя (7) и с удалением поверхностного слоя со скоростью 0,84-10'7 м/с (2). После нагружения до точки а деформирование вели без удаления поверхностного слоя [ 48]

Рис. 9. Кривая напряжение — деформация монокристаллического алюминия без удаления (7) и с удалением поверхностного слоя со скоростью/! = 16 ■ 10"' м/с (2) : в г1 ,. б|2 и в , в — коэффициенты деформационного упрочнения на I и II стадиях соответственно без удаления (индекс 1) и при удалении (индекс 2) поверхностного слоя; Д-)^1 , Д-у^2 и ДТП1 ^ТН2 _ продолжительность стадий I и II в аналогичных условиях. (Слева вверху показано влияние скорости полирования образца на протяженность -у| и коэффициент деформационного упрочнения в | на I стадии деформации монокристалла А1. Температура деформирования Т - ±3 К, скорость деформации 10"* с"1 | 48]

что в поверхностной области образца образуется слой с повышенной плотностью дисклокаций (Мга-слой), который действует как барьер, задерживая дислокации, "генерированные в процессе деформации внутренними объемными источниками. Было показано, что образование такого слоя не зависит от окисной пленки и свойственно металлам с различным типом кристаллической решетки. Поэтому к обычному равенству, по которому определяют эффективное напряжение т, действующее на дислокации, он добавил величину г5[48, 49], т.е. т =та — т,- - т$, где та — внешнее приложенное напряжение; т,- - обратное напряжение (коротко- и даль-нодействующие компоненты), возникающие врезультетепластической деформации внутренних объемных слоев материала, т5 — аналогичная величина обратного напряжения, создаваемая с?еЬга-слоем.

Для проверки высказанной Крамером гипотезы некоторые авторы попытались прямо обнаружить такой градиент плотности дислокаций вблизи поверхности кристалла, однако при этом были получены весьма противоречивые результаты. Так, Китаяма с сотрудниками [ 51, 521 подтвердили данные Крамера [ 48, 49] о наличии барьерного слоя с повышенной плотностью дислокаций. Сванн [ 53] при электронномикроскопичес-ких, а также Блок и Джонсон [ 54] при металлографических исследова-