рмть диффузионные процессы и залечивание пор и локальных несплош-ностсй в контакте.

Изложенные выше соображения позволяют физически более четко объяснить наблюдаемый на практике эффект резкой интенсификации кинетики схватывания при программированном приложении нагрузки по ■ ривнению с существующими объяснениями, основанными на роли возврата в процессе разгрузки и последующем более интенсивном протекании контактной пластической деформации на дислокационном уровне. Более ■то, изложенные выше соображения по вакансионной кинетике на контактных поверхностях раздела свариваемых материалов позволяют физически обоснованно рассчитать оптимальные величины таких параметров, как величина нагрузки на каждой ступени нагружения, скорость приложения каждой порции нагрузки, время выдержки материалов в нагруженном и разгруженном состоянии, оптимальная скорость разгружения, число циклов, т.е. в результате предложить наиболее оптимальную схему программирования нагружения.

Кроме того, необходимо особо подчеркнуть большую роль стадии объемного взаимодействия (релаксация напряжений, рекристаллизация, гете-родиффузия) в процессе образования прочного сварного соединения, поскольку какие бы теоретические модели ни были построены для объяснения активационной стадии и начала процесса схватывания, очевидно, что в ре и г , ь высокопрочное сварное соединение между двумя ма-г&ДЯ Гм состоянии практически невозможно осуществить

"сшиванием** одного-двух поверхностных моноатомных слоев, и поэтому чпшшшы у»"1'ксач«и напряжений, рекристаллизации и гетеродиффузии можно считать одним из основных акто в етственных за об азова-иие прочного соединения

Таким образом, кинетику протекания активационной стадии и процесса схватывания следует рассматривать как самостоятельное явление без привлечения третьей етадии (объемного взаимодействия). Однако эти первичные акты образования активных центров на уровне обменного электронного взаимодействия в подавляющем большинстве случаев практически не удается наблюдать в чистом виде обычными существующими, в частности структурными методами исследования, за исключением некоторых случаев (например, методом ЭПР [ 32]). Высказанные соображения непосредственно подтверждаются результатами работ [ 22 — 24], в которых было показано, что фигуры травления правильной кристаллографической формы, выявляемые металлографией в зоне схватывания, фактически не являются активными центрами дислокационного происхождения. Они возникают в результате наложения на первичный активный центр более поздней третьей стадии процесса. Именно протекание гетеродиффузии на третьей стадии позволяет "проявлять"эти активные центры и дает возможность демонстрировать обычными металлографическими методами дискретность процесса схватывания (рис 5).

В то же время, как указывалось выше, пока нет практических способов образования прочного твердофазного соединения без участия третьей стадии.