Конструкционные материалы: Справочник






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Конструкционные материалы: Справочник

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 545 546 547 548 549 550 551... 650 651 652
 
580
Материалы с особыми физическими свойствами
87, Концентрации основных носителей заряда в монокристаллических слитках арсенида индия при —196 °С (ТУ 48-4-420—80)
Марка
Концентрация ОНЗ, м- 3
Марка
Концентрация ОНЗ, м-"
имэ
Не более 3.10й
ИМЭТ-2
Св. 9- 1023 до 2-10>|
ИМЭО-1
5- 1022—9-Ю23
ИМЭТ-3
» МО24 » 5
ИМЭО-2
Св, 9- 1023 до 2- 10м
ИМДЦ-1
Ы022_5. 1022 Ш
имэо-з
» Ы024 » 5.10м
ИМДЦ-2
Св. 5- 1022 до 1-
ИМЭО-4
Св. 5-1024
имдц-з
* ыо28 » ыом
ИМЭО-5
7. 1023—2- 1024
ИМДЦ-4
» ЫО24 > 8-104.1
ИМЭТ-1
Б. 1022—9- 1023
ИМДМ
(1-7). 10» Щ
88. Коэффициент оптического пропускания (Г) арсенида индия марки ИМЭП-1 для толщины образца (3q=0,1) мм (ТУ 48-4-420—80)
** *пр/*пад
Длина волны, мкм
Т ** фпр/*пад
Длина волны, мкм
0
0,4
3,4 4,3
0,42 0,40
Св. 5,3 *
.1
89. Электрофизические свойства монокристаллов фосфида индия j
Марка
Концентрация ОНЗ,
Подвижность ОНЗ, мУ(В-с)
J
Плотность 1 дислокаций, J м-- -J
ФИЭ-1
<5- 1022 '
0,30
\
ФИЭТ-2
5.1022—5. 10»
0,25
Б-108 |
ФИЭТ-3
5. 1023—5- 1024
0,10
j
ФИДЦ-1
5. Юм—Ь 1024
ыоаj
ФИДЦ-2
1. Ю24—8-Ю24
на четыре группы по плотности дисло­каций: а — не более 5-107 м; б — 7.10' м-2; в — 1 • 108 м-2; г —плотность дислокаций не лимитирована. Диаметр слитков может изменяться от 25 до 80 мм. Чем больше допустимая плот­ность дислокаций, тем большего дна-метра могут быть получены слитки. Ориентация продольной оси монокри­сталлических слитков арсенида иидия [111 1; отклонение плоскости торцового
среза от плоскости ориентации не должно превышать 3°.
Для арсенида индия марки ИМЭП-1 коэффициент пропускания, равный от­ношению прошедшего светового потока Фпр к падающему Фпад, должен быть вв меньше величин, приведенных в табл. 88.
Монокристаллический фосфид индия, предназначенный для производства по­лупроводниковых приборов, изгою»'
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 545 546 547 548 549 550 551... 650 651 652

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Конструкционные материалы: Справочник
Основы металлографии и пластической деформации стали
Оборудование для контактной сварки постоянным током
Справочник конструктора металлических конструкций

rss
Карта