Главная


Конструкционные материалы: Справочник






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Конструкционные материалы: Справочник

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 544 545 546 547 548 549 550... 650 651 652
 
Полупроводниковые материалы
579
дырочного типа электрической прово­димости. В качестве легирующих при­месей используются сера, цинк, окись хрома. Для легирования высокоомного фосфида галлия марки ФГВ-1 исполь­зуются железо, ванадий и марганец. Легирование фосфида галлия марок фГВ-2 и ФГВ-3 осуществляется хро­мом. Слитки монокристаллического фосфида галлия выпускаются с номи­нальными значениями диаметра 35, 40, 45, 50 мм и длиной не менее 30 мм. Ориентация продольной оси монокри­сталлического слитка [111] или (1001. Некоторые электрофизические свойства монокристаллических слитков фосфида галлия приведены в табл. 85.
Антимонид галлия, предназначенный для производства полупроводниковых приборов и других целей (ТУ 48-4-464—85, ОКП 17 7591), выпускается в виде нелегированных и легированных теллуром или кремнием монокристал­лических слитков, выращенных по методу Чохральского. Длина и диаметр слитков не менее 20 мм. Плотность
дислокаций в слитках не превышает I-I^m-2. Нелегированньтй и легиро­ванный кремнием антимонид галлия имеет дырочный тип электрической проводимости, а легированный теллу­ром— электронный. Основные свойст­ва антимонида галлия приведены в табл. 86.
Арсенид индия для производства полупроводниковых приборов и опти­ческих целей (ТУ 48-4-420—80) выпус­кается в виде поликристаллических слитков, выращенных по методу Брид-жмена (марка ИМЭП-0) и по методу Чохральского (марка ИМЭП-1), и в виде монокристаллическнх слитков, нелегированных и легированных тел­луром, оловом, цинком и марганцем, выращенных по методу Чохральского.
Концентрация ОНЗ при —196 °С в образцах поликристаллического ар-сенида индия не превышает 5-1022 м-3; концентрация ОНЗ для различных ма­рок монокристаллического арсенида индия приведена в табл. 87. Марки монокристаллических слитков делятся
85. Электрофизические свойства слитков фосфида галлия [331
Подвижность ОНЗ, mV(B-c) прн 27 "С,
Плот-
Марка
Концентрация
Pi,
ность дислока-
ОНЗ, м-*
Ом.м
не менее
не более
ций, м-*, ие более
ФГЭ-1
МО"-8-1024
0,015
0,065
ФГЭС-1А
1. Ю23—4- 1023
0,012
0,050
_
5-10»
ФГЭС-1Б
Ы(Я_4.102»
0,012
0,040
—
4-108
ФГЭС-2
З.Ю'^^-Ю23
0,010
0,035
—
2-10»
ФГДЦ-1
Ы023_4-1023
0,004
_
—
2.10е
ФГДЦ-2
4-1023—9-1023
—
—
—
2.10»
ФГВ-1
_
_
_
1—10»
5-10»
ФГВ-2
_
_
_
10*—10»
2-10«
ФГВ-3
—-
—
—
Не мевее 10»
2-10'
86. Электрофизические свойства слитков антимонида галлия (ТУ 48-4-464—85)
Марка
Концентрация ОНЗ прн —196 "С, м_я
Подвижность ОНЗ, м7(В.с),
не менее
Ориентация оси слитка
гсд
гсдк-
гсэт
Не более 3-Ю22 Не менее ЫО2* З.Ю»—1,5-1024
0,200 0,015 0,300
[211], [111J [1111 [2111
19*
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 544 545 546 547 548 549 550... 650 651 652

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Конструкционные материалы: Справочник
Основы металлографии и пластической деформации стали
Оборудование для контактной сварки постоянным током
Справочник конструктора металлических конструкций

rss
Карта