Конструкционные материалы: Справочник
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 543 544 545 546 547 548 549... 650 651 652
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Материалы с особыми физическими
свойствами |
|
|
|
|
|
83. Концентрация основных
носителей заряда (ОНЗ) в слитках арсенида галлия
(ОСТ.4.032.015—80) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Не более 1-1022
» » 2- 102а э » 2- 102а
5-1022—4-Ю24 |
АГЧО-1 АГЧО-2 АГЧО-3
АГЧЦ-1 |
1,5-10м—2,5.10**
1-
1023—4-Ш24 2,5- 10м—5-1024
1,5-1023—2- 1025 |
|
|
|
5-Ю22—8-
1024 4-1024—МО25
9-Ю23—3,5-1024 |
|
2-1025 — 6,5.
Ш25 6,5-1025—9-1025 .
9-1025— 1,2.10м Ш |
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
84. Подвижность основных
носителей заряда (нижний предел) для арсенида галлия, легированного
теллуром, оловом, цинком и иелегированного при температуре (23±2) °С (ОСТ
4.032.015—80) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Подвижность носителей заряда, mV(B-c). |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
МО28 2-1022
4-1023 6-10*» 8- 102а МО23 2-
1022 4-Ю23 6-Ю23 8-Ю22 1
• 10м 4 - 102* 6-Ю24 8-1021
1.10м 5- 10м 1-10" |
0,39 0,38 0,36 0,34 0,32
0,30 0,25 0,20 0,17 0,14 |
0,40 0,39 0,38 0,37 0,34
0,31 0,29 0,28 0,22 0,16 |
0,0170 0,0160 0,0140 0,0135
0,0120 0,0100 0,0080 0,0065 0,0055 0,0050 0,0040
0,0030 |
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
от плоскости ориентации не более
3°. Подвижность основных носителей заряда должна соответствовать
табл. 84.
Арсенид галлия, легированный
кремнием, выпускается пяти марок (АГНК-1—АГНК-5) с номинальной
концентрацией ОНЗ 9-Ю23—3,5 X X
1024 м~3; подвижность ОНЗ не ниже
0,12 м2/(В-с). Плотность дислокаций МО"—1-10е
мЛ |
Выпускаются четыре марки арсенида
галлия (полуизолирующий, легированный хромом, кислородом и индием) с
УЭС не менее МО5 Ом-м и арсенид галлия для модуляторов марки
АГЧПМ с УЭС не менее 5-105Ом-м.
Моиокристаллический фосфид
галлия, предназначенный для произвоД' ства полупроводниковых
приборов, изготовляется как электронного, так |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 543 544 545 546 547 548 549... 650 651 652
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
