Конструкционные материалы: Справочник
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 541 542 543 544 545 546 547... 650 651 652
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Материалы с особыми физическими
свойствами |
|
|
|
|
|
81, Электрофизические свойства германия (ТУ
48-4-291—74) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Отклонение р, от
номинала, % |
Плотность дислокаций,
м-2, не
более |
Расчетная ■ концентра, ция
золота м-3, ' не
менее |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
ориентации ие более 2°.
Плотность
дислокаций для марки ГЭФ-0,001 не
более 3-10' м-2, для марки ГЭФ-0,005 не более 5-108
м~2.
Сложные полупроводники типа AHIBV
используются для изготовления диодов, транзисторов,
сверхвысокочастотных приборов на основе эффекта Гана, модуляторов
инфракрасного излучения, приемников излучения, солнечных батарей,
лазеров, датчиков Холла, магниторезисторов и других приборов.
В табл. 82 приведены некоторые
физико-химические свойства фосфидов, арсенидов и антимонидов галлия и
индия. Эти соединения имеют кубическую решетку типа цинковой обманки
(пространственная группа 7^_F43m)-
Сложные полупроводники типа
AII[BV выпускаются промышленностью в широком ассортименте.
Для характеристики отдельных марок полупроводников используются
буквенно-цифровые обозначения. Первыми двумя буквами обозначается
собственно полупроводник: АГ — арсенид галлия, ФГ — фосфид галлия,
ГС—аитимоиид таллия, ИМ — арсеиид индия, ФИ — фосфид индия, ИС —
антимоннд индия. Справа добавляется буква, обозначающая тип
электропроводимости: Э — электронный, Д —дырочный. Для ар-сенида галлия
после АГ добавляется буква Н для слитков, полученных горизонтальной
направленной кристаллизацией, или Ч — для слитков, полученных по
методу Чохральского, Далее |
идет буква, обозначающа»*1егирующую примесь: Т — теллур, О — олово, Ц—цинк,
Г — германий, К — кремний, X — хром, М — марганец. После набора
прописных букв идут цифры и строчные буквы, характеризующие различные
параметры материала. Расшифровка значений марок дана в
соответствующих технических условиях.
Арсенид галлия (ОСТ 4.032.015—80)
применяется для производства электронных приборов и эпитакснальных
структур. Арсенид галлия выпускается как в виде поликристаллических
слитков (марка АГН-1), так и в виде монокристаллических слитков
(остальные марки). Выращивают монокристаллы либо горизонтальной
направленной кристаллизацией, либо вытягиванием по методу Чохральского
из-под флюса. в
качестве легирующих примесей используют теллур, олово,
цинк и кремний. Монокристаллические слитки, легированные цинком,
имеют дырочный тип электрической проводимости, остальные —
электронный. Слитки арсенала галлия различных марок различаются
концентрацией основных носителей заряда (ОНЗ), допустимым
отклонением концентрации ОНЗ (табль 83) от номинального значения
(10--80 %), номинальными значениями диаметров слитков (20—50 мм),
плотностью дислокаций (5-10'—8-108 м"2).
Ориентация продольной оси монокрнсталли-ческих слитков [111], [100],
[И0'' Отклонение плоскости торцового
среза |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 541 542 543 544 545 546 547... 650 651 652
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
