Конструкционные материалы: Справочник

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Конструкционные материалы: Справочник

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .

Страницы: 1 2 3... 534 535 536 537 538 539 540... 650 651 652

	Полупроводниковые материалы 569 .„па запрещенной зоны Д£) не пре­вышает 1—3 эВ, то такие твердые тела г.,дут полупроводниками. При —273 °G Центрическая проводимость таких ве­ществ равна нулю. В результате ка-к0го-либо энергетического воздейст­вия (температуры, излучения) элект­роны из валентной зоны могут быть переведены в зону проводимости. В по­лупроводнике возникают носители за­ряда: электроны в зоне проводимости н дйрки в валентной зоне. Электриче­ская проводимость полупроводников увеличивается с повышением темпера­туры и определяется соотношением > где Д£ — ширина запрещенной зоны; It — постоянная Больцмана; Т — аб­солютная температура. Известно около 1000 простых и сложных полупроводников. Многие из них используются для изготовле­ния различных электронных приборов и микросхем, СВЧ-генераторов, фото­чувствительных и преобразовательных приборов, лазеров, термисторов, тер­моэлементов, тензочувствительных элементов, датчиков Холла и др, Обычно полупроводниковые мате­риалы, предназначенные для использо­вания в электронике, изготовляют в виде монокристаллических слитков со­гласно ГОСТ 4.64—80. Свойства полупроводниковых при­боров определяются свойствами исход­ных материалов. Для полупроводнико­вых материалов, выпускаемых промыш­ленностью, применяются те или иные из показателей качества, установлен­ных ГОСТ 4.64—80 (номенклатура показателей). Простые полупроводники. Из про­стых полупроводников наибольшее применение нашли кремний и герма­ний. Некоторые физико-химические свойства германия и кремния приведе­ны в табл. 74. Для изготовления разнообразных приборов требуются полупроводнико-, вые материалы с различными свойства-ми- Ниже при описании марок полу­проводниковых материалов, выпускае­мых промышленностью, после характе­ристик монокристаллических слитков в скобках приводится условное обозначе-8ие характеристики, Для каждого типа полупроводникового" материала уста­новлены и контролируются показатели качества, определенные ГОСТ 4164—80. Группы и подгруппы марок материала имеют различный набор численных зна­чений показателей качества. Слитки монокристаллического крем­ния (ТУ 48-4-295—82), предназначен­ные для производства полупроводнико­вых приборов и микросхем, получают методом Чохральского (К) (ОКП 17 7211) с ориентацией продольной оси монокристаллического слитка [111], [ 100],[013] диаметром42i§—102,5±g мм и базовой длиной 60—150 мм или бестигелыюй зонной плавкой (БК) (ОКП 17 7221) с ориентацией [111 [диа­метром 23—46 мм и длиной 40—70 мм. Отклонение плоскости торцового среза слитка кремния от плоскости ориента­ции (а) не должно превышать 3°. Кон­центрация атомов оптически активного кислорода (А/о2) должна быть не более 1 • Ю23 м-3 в слитках кремния, получен­ных бестигельной зонной плавкой, и 7- 10гз м~3 в слитках, полученных мето­дом Чохральского. Слитки монокристаллического крем­ния, легированные бором (Б) или алюминием (А), изготовляют дырочного (Д) типа электрической проводимости, и легированные фосфором (Ф), сурьмой (С) или мышьяком (М), а также фосфо­ром и золотом (ФЗ) — электронного типа. Технические требования на слит­ки могут быть уточнены или изменены по согласованию между изготовителем и потребителем. Пример условного обозначения слит­ков: 1А1 щ КДБ 7,5/2,5—76 ТУ 48-4-295—82, где 1А1 —подгруппа марок; кц — индексы дополнительных требо­ваний; КДБ — монокристаллический слиток кремния, выращенный по методу Чохральского, дырочного типа элект­рической проводимости, легированный бором; 7,5 — номинал удельного элек­трического сопротивления, Ом-см; 2,5 — время жизни неравновесных но­сителей заряда, мкс; 76 — диаметр, мм. В табл. 75 и 76 приведены некоторые электрофизические параметры слитков монокристаллического кремния. В зависимости от группы и подгруп­пы марки техническими условиями допускается: отклонение средних зна­чений удельного электрического сопро- rss Карта

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу