Железоуглеродистые сплавы : Учеб. пособие
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 11 12 13 14 15 16 17... 114 115 116
|
|
|
|
ложение, т. е. переходить из узла в междоузлие, из поверхностного слоя выходить на поверхность кристалла и т. д. Атом вышедший из узла решетки в междоузлие (рис. 5) называется дислоцированным, а незаполненное место, где он находился, вакансией. Через некоторое время вакансия заполняется одним из атомов из соседнего слоя, а незаполненный узел становится вакансией. Следовательно, вакансия перемещается по объему кристалла. Рис. 5. Точечные дефекты кристаллической решетки: а вакансия; б дислоцированный атом; в примесной атом Атомы других элементов, находящиеся как в узлах, так и в междууз-лиях решетки называются примесными. Вакансии и дислоцированные атомы имеются в кристаллах при любой температуре. Каждой температуре выше абсолютного нуля соответствует равновесная концентрация вакансий и дислоцированных атомов, причем она резко повышается при нагреве (особенно вблизи температуры плавления). Точечные дефекты искажают кристаллическую решетку и, тем самым, влияют на физические свойства металла. 1.4.2. Линейные дефекты К линейным дефектам относятся дислокации, котсыэью подразделяются на краевые и винтовые. На рис. 6, а, б показан участок кристаллической решетки имеющий одну "лишнюю" полуплоскость АВ, называемой экстраплоскостью. Линия, проходящая через точку А перпендикулярно направлению сдвига, называется краевой дислокацией. Она является краем экстраплоскости и может достигать нескольких тысяч межатомных расстояний. Если экстраплоскость находится в верхней части кристалла, то дислокация называется положительной и обозначается знаком -Ц а если в нижней, то отрицательной и обозначается -у(рис. 6, в). Такое различие является условным. Если провернуть кристалл на 1800 положительная дислокация превращается в отрицательную. Знак дислокации дает воз 14
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 11 12 13 14 15 16 17... 114 115 116
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
