Неразрушающий контроль. В 5 кн. Кн. 2. Акустические методы контроля: Практ. пособие
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 169 170 171 172 173 174 175... 281 282 283
|
|
|
|
лый" (не зависящий от частоты) акустический шум. Энергия этого шума в единичном интервале частотного диапазона при комнатной температуре равна Е/М = =4-Ю-21 Дж/Гц. Точечные дефекты кристаллической решетки — атомы внедрения и вакансии (лишний атом или отсутствие атома в узле решетки). Они могут возникнуть под действием тепловых колебаний. С ними связана дополнительная потенциальная энергия. Искажения перемещаются по решетке. Если атом внедрения встречается с вакансией, дефект решетки аннигилирует, выделяя энергию порядка 10_,в Дж в виде упругого импульса. Сигналы такого уровня обычно не регистрируются. Более крупный линейный дефект кристаллической решетки — дислокация (от позднелат. dislocatio — смешение, перемещение). Это линейное несовершенство кристаллической решетки, которое в двух измерениях имеет размеры порядка атомных, а третьем — гораздо больший. Когда между атомными плоскостями "вставлена" дополнительная неполная плоскость, край ее называют краевой дислокацией . Ее энергия порядка Ю-16—Ю-17 Дж. Она ослабляет прочность кристалла на 2...3 порядка, так как участки с разным количеством плоскостей сдвигаются относительно друг друга при значительно меньших напряжениях, чем на других участках, где атомы расположены регулярно в узлах решетки. Это смещение представляют как движение дислокации по кристаллу. Если два участка кристалла с лишними кристаллическими полуплоскостями встретятся, образуется полная плоскость, дислокация аннигилирует. Существуют другие типы дислокаций, например винтообразные. Дислокации накапливаются у препятствий — других нарушений кристаллической решетки. Преодоление препятствий происходит путем совместного движения группы дислокаций и вызывает более интенсивные упругие сигналы. Плоским дефектом кристаллической решетки является двойникование — поворот узлов одной части кристалла в положение, симметричное другой его части. Возникновение таких дефектов связано с изменением энергии на значение порядка Ю-3 Дж. Рис. 2.44. Форма первичных импульсов АЭ (а) и соответствующих импульсов в приемном тракте (б) Форма импульсов АЭ, возникающих в результате перестройки структуры, зависит от природы процесса и материала изделия. Рассмотренный выше процесс снятия локальных напряжений путем разрушения вызывает импульс с крутым фронтом, как большинство импульсов на рис. 2.44, а. Процесс восстановления первоначального состояния называют релаксацией. Первоначальное состояние— ненагруженное. Разрыв связей соответствует возвращению к иенагруженному состоянию. Он происходит быстро, за время порядка Ю-13 с. Спад импульса соответствует восстановлению внутренних напряжений (иногда они не восстанавливаются или восстанавливаются не полностью). Здесь первоначальное состояние — напряженное, и под релаксацией понимают возвращение к напряженному состоянию. Оно происходит медленнее, чем разрыв, может сопровождаться быстрозатухающими колебаниями, как показано для первого импульса на рис. 2.44, а. Импульсы рассматриваемого типа на
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 169 170 171 172 173 174 175... 281 282 283
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
