Неразрушающий контроль. В 5 кн. Кн. 2. Акустические методы контроля: Практ. пособие
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 134 135 136 137 138 139 140... 281 282 283
|
|
|
|
щины ОК и коэффициента затухания ультразвука оптимальная частота понижается (см. задачу 2.4.1). Порог чувствительности при высоком уровне структурных помех снижают двумя путями. Первый заключается в выборе оптимальных параметров контроля, а второй — в применении статистических методов обнаружения сигналов на фоне структурных помех. Выбор оптимальных параметров контроля основан на анализе соотношений полезных сигналов и среднего уровня структурных помех. В табл. 2.1 эти соотношения приведены без учета влияния на них качества акустического контакта (см. п. 1.3.5). Поскольку изменение акустического контакта може уменьшить амплитуду сигнала в несколько раз, а максимальный уровень структурных помех в 2 раза выше среднего, для надежного обнаружения полезного сигнала на фоне помех сигнал должен быть в 6... 8 раз выше их среднего уровня. Используя эти соотношения, можно дать следующие рекомендации по оптимизации условий контроля: Таблица 2.1 |Отношение амплитуды сигнала для отражателей различного типа к среднеквадратичному уровню структурных помех U'lUn Отражатель в ближней зоне ггб в дальней зоне гг6 Диск площадью Sb Бесконечный цилиндр диаметром d4 Бесконечная плоскость (донный сигнал) (3,5. ..9,5)—^-Х *l/ 1 V bpCXSa 2,5 l/" rf" V Х5рСт (3,5...1,9)X X V bpcx /-Х2 V BpCt 1,8 -J / Sadll X V rlpcx 2,5_L_l/^I X V bpci 1. Локализовать зону озвучивания, т. е. область, из которой получают информацию. Выявляемость дефекта на фоне структурных помех растет с увеличением отношения площади отражающей поверхности дефекта к площади облучаемых ультразвуком кристаллитов металла, участвующих в образовании помех. Из таблицы видно, что уменьшение длительности т импульса, уменьшающее лучевую протяженность зоны озвучивания (заштрихована на рис. 2.25), улучшает отношение сигнал — помеха. Если дефект находится в дальней зоне, то для повышения отношения сигнал — помеха целе
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 134 135 136 137 138 139 140... 281 282 283
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
