Сварка и свариваемые материалы: В 3-х т. Т. 1. Свариваемость материалов. Справ. изд.
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 96 97 98 99 100 101 102... 525 526 527
|
|
|
|
5.3.1.3.Кристаллизация сплавов. Закономерности кристаллизации сплавов в основном определяются концентрационным переохлаждением. Его образование обусловлено диффузионным перераспределением примесей у ФК и скоплением их со стороны жидкой фазы вследствие большей их растворимости в жидкой фазе, чем в твердой. В результате в зоне концентрационного уплотнения (6Х) имеет место понижение температуры ликвидуса (Тл) (рис. 5.3). Протяженность дх зависит от интенсивности диффузионного отвода примеси от ФК в жидкость (Дн) и скорости кристаллизации (икр) ^.6x = Dm/vKp. Величина зоны концентрационного переохлаждения (л:к) определяется соотношением в распределении Тл (абсолютным значением градиента йь в жидкости у ФК) и 7л. В конечном итоге величину хк характеризует критерий концентрационного переохлаждения Ф = б£/л/£кр" • Тип образующейся при кристаллизации бинарных сплавов первичной микроструктуры, как и в случае кристаллизации чистых металлов, зависит от величины хк и определяется соотношением Ф и Асо/Ь, где Со — концентрация примеси; £ — коэффициент распределения примеси в жидкой и твердой фазах, А — экспериментальный коэффициент. В многокомпонентных сплавах ориентировочно указанное соотношение может быть использовано применительно к наиболее сильно ликвирующему элементу, т. е. имеющего наименьшее значение к. 5.3.1.4. Схема кристаллизации сварных швов. Рост кристаллитов в сварном шве происходит нормально к фронту кристаллизации, т. е. к изотермической поверхности кристаллизации (ИПК), соответствующей ГПл. Поскольку при сварке сварочная ванна перемещается, то ось растущего кристаллита является ортогональной траекторией к семейству ИПК, смещенных по оси шва. Определенные трудности заключаются в математическом описании ИПК методами теории тепловых процессов при сварке. Для инженерных решений ИПК аппроксимируют уравнением эллипсоида с полуосями Ь, Р, Я, которые соответствуют длине затвердевающей задней части сварочной ванны, половине ее ширины и глубине проплавления [1]. В зависимости от схемы нагреваемого тела и типа источника теплоты ИПК может быть эллипсоидом с двумя равными полуосями (точечный источник на поверхности полубесконечного тела, Р = Н), эллиптической цилиндрической поверхностью (линейный источник по толщине листа, Н = 6) или частью "фиктивного" эллипсоида (точечный источник на поверхности плоского слоя, рР и /г# (рис.5.4). В первом случае имеет место объемный процесс кристаллизации и оси кристаллитов являются Пространственными кривыми. При этом поскольку поперечное сечение сварочной ванны является кругом (P = Я = L), то форма осей всех кристаллитов аналогична форме кристаллитов на ее
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 96 97 98 99 100 101 102... 525 526 527
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
