Технология и свойства спеченных твердых сплавов и изделий из них. Учебное пособие для вузов
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 161 162 163 164 165 166 167... 214 215 216
|
|
|
|
тельная и вакуумная аппаратура. Метод простой, надежный, но применим для однослойных гомогенных покрытий, например, ТЮ, и требуется сложная аппаратура. Рентгеноструктурный и радиоизо-топный методы применимы и для многофазных покрытий. В ГУП ВНИИТС опробованы оба метода для определения толщины покрытия из ТЮ и сложных многофазных покрытий на его основе на сплавах ТТ10К8Б, ТТ7К12 и ВК6. Покрытия наносили из газовой фазы или термодиффузионным способом (ГТ и ДТ). В обоих случаях была переходная зона из г^-фазы, толщиной 1 ...2 мкм. В основе рентгеноструктурного метода лежат элементы количественного рентгенофазного анализа. Применяют два приема. Первый -увеличение интенсивности дифракционного отражения определяемого материала с увеличением его суммарной доли в облучаемом объекте. Построив эксперимент таким образом, чтобы условия съемки и площадь облучения были постоянны, можно связать изменение интенсивности дифракционного отражения с изменением толщины слоя, причем до определенного предела толщин эти величины связаны линейной зависимостью. Второй прием основан на использовании экспоненциальной зависимости ослабления рентгеновского пучка, прошедшего через слой вещества. В этом случае рабочим отражением служит одно из сильных отражений сплава основы. В результате рентгенофазового анализа было установлено, что при использовании первого приема наиболее подходящим отражением в качестве рабочего является отражение карбида титана с межплоскостным расстоянием 0,152 нм. Из отражений основы наиболее сильным является отражение карбида вольфрама с межплоскостным расстоянием 0,187 нм, которое свободно от наложений как других фаз сплавов, так и покрытия и отчетливо прослеживается на дифрактограммах образцов со слоями толщиной 8... 10 мкм. Это отражение было выбрано в качестве рабочей? в случае использования второго приема. Экспериментальными данными для определения толщины слоев в обоих случаях служили интенсивности двух отмеченных дифракционных отражений, получаемых в результате съемок образцов на рентгеновском дифрактометре ДРОН-5 на медном /Г„-излучении. При съемках использовали стандартный держатель для плоских образцов, на котором для удобства и быстроты установки образцов с сохранением постоянной площади облучения была установлена ограничительная пластина, к которой прижимался образец во время съемок. За интенсивность отражений принимали высоту пика (мм) над усредненной линией фона. Непосредственное определение толщины покрытия проводили по эталонному графику, который строился по усредненным результатам многократных съемок эталонов. В качестве последних были взяты пластины, толщина слоев на которых была определена металлографически (с помощью оптического микроскопа на шлифах) с точностью до 0,1 мкм. Расчетная точность определения толщины покрытия составила 5 %. Однако, как показали прямые сопоставления с результатами оптических определений, точность определения рентгеноструктурным способом составляет 10...12%. Максимальная толщина покрытия из карбида титана, которую можно определять рентгеноструктурным методом, составляет 14... 16 мкм, минимальная 0,5 мкм. При толщине 0,5...6,0 мкм целесообразно применять второй прием, для более толстых слоев первый. В основе радиоизотопного метода лежат эффекты взаимодействия потока р-частиц с атомами вещества и рассеяние р-частиц в обратном или близком к нему направлениях. Поток обратнорассеянного излучения зависит от максимальной энергии (J-спектра облучателя £тах; удельной активности изотопа Е\ эквивалентного атомного номера рассеивающей среды Z3KB; толщины слоя рассеивания d; площади облучения S. При £max = const с ростом толщины рассеивающей среды поток обратнорассеянного излучения сначала линейно растет, затем замедляется и при d= dmc остается постоянным. Толщина слоя насыщения зависит от £тах и плотности рассеивающей среды р: При наличии покрытия поток обратнорассеянного излучения от покрытия определяется выражением /покр = /"и exp kpd, где к коэффициент рассеяния. При этом для определения толщины нанесенного покрытия необходимо выполнение следующих условий: | Z3KB ос„ Z3KB П01ф I 2 (во избежание перекрывания потоков от основы и покрытия в пределах определенного интервала) и далее о^си^нас (для того, чтобы при облучении пластины с покрытием поток обратнорассеянного излучения основы был постоянным). Кроме того, толщина покрытия должна быть значительно меньше толщины слоя насыщения dn01tpdhac, т.е. лежать на линейном участке зависимости Ia5Pf3C от толщины слоя. Экспериментально было установлено, что эта зависимость для карбида титана (Z3KB = 18) линейна в диапазоне толщин 0...30 мкм в случае основы вольфрамсодержащих твердых сплавов (Z3KB = 63...67). Учитывая толщину самих пластин (2...6 мм) и покрытий (от 2...20 мкм), эквивалентные атомные номера материала основы (63...67) и материала покрытия (18), толщину насыщения основы и покрытия для разных источников, а также выполнение условия: (р1^|...р2^2)расч s (Д...£2)теор, где (р1^|...р2^2)расч _ диапазон поверхностных плотностей измеряемых слоев, равный (2,97...8,5) 10'6 кг/см2, (£),... £2)теор диапазон поверхност
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 161 162 163 164 165 166 167... 214 215 216
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
