Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 95 96 97 98 99 100 101... 140 141 142
|
|
|
|
наличие сложного физико-химического механизма формирования ре-зистивной пленки, в котором немалую роль играют реакции взаимодействия металлов с органическими соединениями, возникающими из паров масла. Сопоставление термодинамических величин ДЯ°29в, т. е. разностей энтальпий образования исходных и конечных продуктов в стандартном состоянии, указывает на следующие особенности компонентов рассматриваемой группы материалов. Величина энтальпий ДЯ°/(№ = 4,25-105 Дж/моль, ДЯ^О = 3,7-Ю5 Дж/моль и ДЯ°/(Сг) =3,3-105 Дж/моль; в парообразном состоянии эта величина наибольшая для №. Однако наиболее активным взаимодействием с компонентами остаточных газов отличается хром. Хром также наиболее активен при образовании карбидов. Никель, как известно, часто выступает при проведении химических реакций в качестве катализатора. Поэтому естественно предположить, что в данной ситуации никель также может выполнять роль катализатора в различных реакциях с углеводородами остаточных газов (попадающих в установку при откачке паромасляным насосом). Малый коэффициент конденсации Сг на подложке на первых этапах осаждения может быть объяснен также его вовлечением в реакции с углеводородами с последующим удалением с подложки легколетучих продуктов этих реакций (например, Сг(ОН)3, Сг(СО)е, НгСг04 и т. п.). Наличие никеля, по-видимому, способствует изменению направления реакций с углеводородами остаточных газов, вовлекая в них кремний, или способствует крекингу углеводородов с последующим их удалением с подложки в виде элементарных газообразных соединений (СО, С02 НгО и СН4 и т. д.). В результате замедляется удаление хрома в результате образования легколетучих соединений. Рассмотренное объяснение представляется для условий "масляного" вакуума более вероятным, чем предположение о низком коэффициенте конденсации Сг на подложке при Тп = 300-^350°С из-за первичных процессов образования и роста частиц Сг, выдвинутое в [80]. Резистивные материалы на основе силицидов. Пленочные резисторы из силицидов (Мо5Ь, Сг512) нашли в последние 5—7 лет устойчивое применение не только в гибридных, но и в совмещенных интегральных микросхемах. Они успешно конкурировали с диффузионными резисторами, заменяя их в полупроводниковых микросхемах. Это вызвано значительно более высокой радиационной стойкостью, высоким поверхностным сопротивлением, воспроизводимостью и низким ТКС СИЛ'ИЦИДНЫХ резисторов по сравнению с диффузионными. Основные параметры резисторов на основе силицидов [73] приведены в табл. 6-12. Рассмотрим более подробно резистивный материал на основе силицида хрома. Физико-химические свойства силицида хрома [диси-лицид хрома молекулярная масса М(Сг5н2) = 108,19; (51,93%¿0; у-Фаза]Расшифровке структуры высшего 1,92 Таблица 6-12 Параметры силицидных резисторов Параметры МоБи Б!—Сг 51—Сг Поверхностное сопротивление, Ом/кв Толщина, нм Удельное сопротивление, мкОм-см Состав, % Б1 Средний ТКС при 50-150°С, 10"" °с-1 Стабильность резистора*: а)в рабочем режиме б)при токе 5-105 А/см2 Воспроизводимость номинала, % 200 65 1300 67 —125±25 0,77 ±10 1300 30 1600 87 +20Э+50 0,75 0,51 ±10 2000 20 4000 71 —150±50 ±15 20000 225 45000 83 — 1400+200 ±30 * Среднее относительное изменение сопр.гпщле шл в % после испытаний в течение .а* —200 ч, .6— 1800 ч пои 125'С. силицида хрома посвящено много исследований. Показано, что размеры элементарной ячейки дисилицида, содержащей три молекулы, равны а=0,4431 ±0,00005; с= =0,6364±0,0005 нм, с/а=1,44. Несколько иные значения периодов приводятся в [5]: а=0,4418 нм; с=0,6357 нм, с/а= 1,439. Работы, посвященные изучению количественных характеристик дисилицида хрома, установили, что у-фаза гомогенна в области составов от Сг5н,99(51,9% 51) до Сг512,29(55,3% 51). Согласно исследованиям рост содержания кремния в сплаве от 50 до 55,5% меняет периоды решетки от а=0,4426 нм и с=0,6364 нм до а=0,4425 нм и с= =0,6368 им. Отмечается, что при 1150°С ширина однофазной области дисилицида ограничивается пределами от 50,7% 51 (Сг311.9о) до 52,43% (Сг512,о5—С^.оэ) • При образовании растворов замещения имеют место независимость а и с от состава и равенство межатомных расстояний /?Сг-81=#81-$1 (В СЛОе). Область гомогенности у-фазы при 1150°С простирается в пределах Сг5н,9о—Сг512,о8. Состав фазы, первично кристаллизующейся из расплава, соответствует формуле СгБЬ.эб. С понижением температуры концентрационная область гомогенности расширяется, составляя около 1 % 51, и смещается в сторону обогащения кремнием. В связи с этим сплавы оказываются однофазными после 150 ч отжига при 1250°С при составах СгБ! 1,98—2,03. 13—295193
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 95 96 97 98 99 100 101... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
