Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 91 92 93 94 95 96 97... 140 141 142
|
|
|
|
сопротивлением. Теоретически этот метод повышения электросопротивления может охватить весь диапазон номиналов пленочных резисторов. Последнее связано с тем, что предельным состоянием разупорядочения является аморфное (стеклообразное) состояние, в котором реализуется лишь прыжковая проводимость [75]. Однако практически он имеет весьма важное ограничение, связанное с тем, что в равновесных условиях разупоря-дочение сплавов и концентрация введенных дефектов ограничены и им противостоят тенденция упорядочения сплавов и тенденция к снижению плотности дефектов за счет их аннигиляции. А/Я !& ж 100 Энергия активации , 1,53-10 13Дж Рис. 6-23. Изменение Лр остаточного сопротивления р(0) после деформации (сплошная линия), закалкн (штрнхпунктнриая), облучения жесткой радиацией (пунктир) и характер восстановления первоначального значения р(0) после отжига. Рис. 6-23 иллюстрирует подобный процесс восстановления первоначального низкого значения остаточного сопротивления: в пластически деформированной, закаленной и облученной чистой меди [76] при отжиге. Стабилизация разупорядоченного состояния может быть достигнута в системах, содержащих тугоплавкие элементы, для которых характерна высокая энергия активации при переходе из метастабильного в равновесное состояние, а также элементы, склонные к стеклообразованию. В соответствии с этим наиболее широко используют в качестве резистивных материалы на основе К ним относятся металлокерамическая смесь (кермет) БЮ—Сг, з которой кислород введен в качестве компонента хими ческого соединения, или сплавы, содержащие до 50— 70% Эк В них кислород вводится в процессе осаждения пленок в вакууме при 1,3-Ю-2—1,3-10~3 Па. Типичным примером материалов последнего типа являются сплавы РС3710, содержащие 50—56% 36— 39% Сг и 8—11% №, а также сплавы РС3001 (66— 71%) 28—32% Сг; 4—6% Ре). Однако склонность к аморфизации соединений, содержащих кремний, приводит к появлению при осаждении в вакууме больших количеств аморфизированпой фазы. В некристаллических веществах большой вклад в проводимость дает локализация внутри флуктуации плотности свободных носителей заряда. Вследствие этой локализации возникает прыжковая проводимость. В дальнейшем электрофизические механизмы, способствующие повышению сопротивления материала, будем называть механизмами "резистивности". Из [6-8] видно, что существуют два основных типа механизмов "резистивности": повышающие интенсивность рассеяния свободных носителей заряда; снижающие их концентрацию. Механизмы второго типа могут быть, в свою очередь, разделены на две группы: механизмы захвата свободных носителей заряда в проводящей области и вытеснения этих носителей заряда из нее электрическим полем. Примером последнего могут служить /т-переход, транзистор и полевой триод. В пленочных резистивных материалах на основе силицидов хрома и других соединений, являющихся узкозонными полупроводниками, возможен механизм такого типа с существенным повышением удельного сопротивления материала. Рассмотрим этот механизм на примере модели Миндена и Харады, предложенный для узкозонных полупроводников группы РЬБ [9]: \\АЕ (4К) = = 0,45-Ю-19 Дж для РЬЭ; 0,3-Ю-19 Дж для РЬТе и 0,25-Ю-19 Дж для РЬБе]. В этой модели предполагается, что адсорбция на поверхности частиц примеси, способной улавливать из объема носителей заряда, может способствовать созданию специфической пленочной системы зерен, каждое из которых в приповерхностной области содержит ря-пере-ход. Рассмотрим формирование подобной структуры в РЬБ (рис. 6-24). Если пленка состоит из дисперсных кристаллитов, имеющих п-тип проводимости, то адсорбирующийся из окружающей атмосферы остаточных га
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 91 92 93 94 95 96 97... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
