Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 89 90 91 92 93 94 95... 140 141 142
|
|
|
|
денная температура перехода Г2/Гс (где Т2 — температура перехода двухслойной пленки, Гс — температура перехода изолированной сверхпроводящей решетки) зависит следующим образом от отношения толщин пленок /2.' Толщина пленни свинца или меди, нм Рис. 6-20. Влияние соотношения толщин в двухслойных пленках, содержащих сверхпроводник (РЬ) и нормальный металл (Си), на величин;/ Гс в сверхпроводнике. Приведенная толщина Рис. 6-21. Зависимость приведенной критической температуры Тв/Тс от приведенной толщины /г=Ла/Лс. водников РЬ и [63] (рис. 6-21). Если в двухслойной системе оба металла являются сверхпроводниками, то Тс системы меняется от значений, характерных для одного из них, до значений, присущих другому материалу при соответственном изменении относительной толщины г2 (рис. 6-21). Рассмотренные выше данные по эффекту близости показывают, что кроме чисто геометрического фактора соседства двух металлов с различной величиной 7-(0)Сп большое значение имеет граница раздела. На ее качество влияет метод нанесения пленок. Например, использование катодного распыления должно приводить к проникновению падающих на подложку атомов распыленной мишени под поверхность пленки, т. е. к ионному легированию. В зависимости от рельефа поверхности н свойств наносимого металла меняются условия рассеяния электронов. На границе раздела двух металлов могут протекать электрохимические процессы, например анодное окисление с образованием окислов, что также существенно меняет свойства границы раздела. 6-4. резистивные пленки Пленочные материалы используются в качестве резисторов с широким интервалом значений номиналов и с возможностью управляемого изменения удельного электросопротивления. Например, поверхностное сопротивление /?, Ом/кв, можно варьировать от 102 до 104 Ом/кв при минимальном значении температурного коэффициента сопротивления (ТКС). Важно, чтобы номинал пленочного резистора оставался постоянным в процессе эксплуатации или хранения. Из формулы электронной электропроводности а=дпи,(6-8) где 7 — заряд электрона; п — концентрация и и — подвижность носителей заряда, следует, что существует два пути повышения удельного сопротивления р (или понижения о): 1)путем уменьшения концентрации носителей заряда, для чего используются однородные полупроводники. На этом пути практически нет ограничений в изменении р в указанном диапазоне номиналов. Однако для чистых полупроводников характерна экспоненциальная зависимость концентрации п от температуры, что приводит к большим отрицательным значениям ТКС. Недостатки, присущие резисторам такого типа: отрицательный ТКС, чувствительность к внешним воздействиям и т. п. — вызывают необходимость их замены на другие типы резисторов в полупроводниковых микросхемах [73]; 2)путем снижения подвижности носителей заряда. Тонкие пленки состоят из кристаллитов, объемные свой
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 89 90 91 92 93 94 95... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
