Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 87 88 89 90 91 92 93... 140 141 142
|
|
|
|
Влияние магнитного поля на свойства сверхпроводников показано на рис. 6-17. Свойства отожженных пленок из чистых металлов сверхпроводников первого рода такие же, как и в массивных материалах. Широкое распространение н успехи пленочной вакуумной технологии позволили создать пленки сверхпроводящих карбидов н нитридов тантала. Методом трех температур и пнролнтнческн изготовлены пленки соединений ЫЬзЗт [67] н сплавов ЫЬ—Ъх, ЫЬ—"Л, ЫЬ—Бп, V—Т1. V—Б!, V—йе, V—йа [63]. Пленки сплавов ЫЬ н V толщиной около 100 нм способны пропускать большие токи, сравнимые с массивными материалами. В пленках существенную роль играют размерные эффекты: зависимость от толщины н размера зерен. 1 Нш НЕ51015НС220 Н,10*А/м а) Рис. 6-17. Разрушения сверхпроводящего состояния по данным намагничивания (а) и диаграмма состояния сверхпроводника (б). -----сверхпроводник 1-го рода, — сверхпроводник Н-го рода. Сверхпроводимость сохраняется до весьма малых толщин /гМии. В пленках свинца сверхпроводимость отсутствует лишь прн А 0,7 нм, а в пленках Те н Бп АМИн = 1,1 н 4 нм. Критическая температура Тс в некоторых пленках повышается с уменьшением толщины А (рнс. 6-18). В сверхпроводящих пленках Бп н т1 зависимость Тс(п) имеет максимум, а в пленках РЬ она уменьшается с уменьшением А. Различия в поведении Те с толщиной связаны с субструктурой, макрон микронапряжениями и нх зависимостью от толщины А. Например, для тонких пленок алюминия, нанесенных на стекло и находящихся в растянутом состоянии, характерно повышение Тс, а в пленках А1, нанесенных на тефлон и подверженных действию сжимающих макронапряженнй, Тс понижается. Пленочный эффект увеличения Тс называется усилением сверхпроводимости. Он наблюдался на тонких аморфных н микродисперсиых пленках различных веществ (табл. 6-10). Особенно интересен результат для Ве н В1, которые в массивном состоянии не обладают сверхпроводимостью, по меньшей мере, до температуры 0,01 КВ пленочном состоянии Тс для них составляет Таблица 6-10 Усиление сверхпроводимости в пленочном состоянии Материал у-пл /гмасс с с Толщина, нм Размер, блоков, нм Метод нанесения А1/8Ю/А1 (многослойная 4 6 _ хп композиция) 4,5 А1 + ТЦМ ' — — — А1 2,27 100 4 — Мо 7 10—400 5 ТР, оп 400 10—400 5 ТР, эп 1,55 — — хп Ве 800 — — хп В1 600 — — ХП Бп+ 10% Си 2 — 4 ХП 1п 1,22 — 4 хп ва 6,5 200 — ХП Примечание. ХП—осаждение прн 4,0 К; ТР—распыление в тлеющем разряде; ЭП—испарение электронным пучком; ТЦМ—тетрацианхиноидиметан. 6 н 8 К соответственно. Эффект усиления сверхпроводимости оказался связанным с величиной дебаевской температуры вв материала и состоянием субструктуры: дисперсности и других дефектов кристаллического строения, наличие которых регистрируется по величине остаточного сопротивления. Критическая температура Тс увеличивается с повышением дисперсности и концентрации дефектов, т. е. Тс оказалась однозначной функцией интенсивности активированного состояния. Максимальное повышение Тс в пленках йа, В1, Ие и Ш возникает тогда, когда степень активации достигает максимальной величины, т. е. дальний порядок фактически исчезает, н пленка становится аморфной. Рнс. 6-18. Влияние толщины пленки 1п на величину критической температуры Тс.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 87 88 89 90 91 92 93... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
