Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 85 86 87 88 89 90 91... 140 141 142
|
|
|
|
Подобное явление возникает по двум причинам. С одной стороны, процессы отдыха и рекристаллизации в пленках пермаллоя развиваются настолько слабо, что даже длительная выдержка при температуре осаждения (осаждение длится примерно 2 ч) не приводит к укрупнению блоков-кристаллитов. Температура начала рекристаллизации пермаллоевых пленок около 525°С. Другая причина заключается в преимущественном росте благоприятно ориентированных по отношению к молекулярному пучку кристаллитов и угнетении, подавлении менее благоприятно ориентированных кристаллитов. Подобный механизм роста приводит в итоге к появлению аксиальной текстуры [111]. Она особенно отчетливо " =270-г-285°С. выражена при Ти 8,мрад 30 вг/в8 го с? -2 ч 70 ВО 30 г Гаусс . Каши , Каши 200 10 ¿00 230 300 350370 тп,°с , Гіусс а_ 200 250 300 350 7,10мн/мг 100 80 ВО 40 'го 0 'п, Рис. 6-15. Влияние температуры Тп на магнитные (а) и субструктурные (б) характеристики пленок пермаллоя. ІЗ — ширина дифракционной линии (/); Яр — порог обратимого вращения (2); Яс — коэрцитивная сила (3); Вг/В, — отношение остаточной магнитной индукции к индукции насыщения В, (4), а^ашн, ^Коши _ уровень МНКронапря-жеинй и размер ОКР £. вычисленные по способу Коши; "Гаусс_ і,Гаусс — по способу Гаусса. Связь между субструктурой пленок пермаллоя и их магнитными свойствами. Рассмотрим влияние субструктуры на магнитные свойства "закритических" пленок пермаллоя [62]. "Закритические" пленки пермаллоя обладают следующими особенностями магнитных свойств: своеобразной формой петли гистерезиса; высоким значением Яс= = 800-н2400 А/м; большой величиной поля насыщения {8-н40) 103 А/м; малыми значениями остаточной индук ция Вг, а также полосовой доменной структурой и связанной с ней вращательной анизотропией. Специфика "закритического состояния" обусловлена наличием у этих пленок перпендикулярной анизотропии, т. е. рас-лоложендем легкой оси , намагничивания по нормали 16 \—.-1-1-г—1-! 0,8 и 200\~ 8 ^12 & х— —X X ^ 4-' 0,6 0,4 0,2 150 100 50 Г 'оши Гауе с и коши усе \ а'* 100 50 О510 , Ь, мкм Ь,нма(Г,Ю7н/м* 5Ю Ь, мкм 100 50 но и ни _* 1,ГС іусс -д чусс —— ши 4 100 50 Рис. 6-16. Зависимость магнитных (а) и субструктур-ных (б, в) характеристик от толщины пленок пермаллоя (обозначения те ;ке, что на рис. 6-15). 10 0 Ь,мкм к пленке. Магнитные параметры Лг/В8, Яс, а также порог обратимого вращения Яр определяются субструктурой пленки. Связь между этими параметрами и параметром, характеризующим субструктуру — шириной В дифракционной линии, зависящей от размера блока I и величины м'икронатгряжений а, показана на рис. 6-15. Отчетливо наблюдается строгая (за исключением Вт/В8)
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 85 86 87 88 89 90 91... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
