Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 83 84 85 86 87 88 89... 140 141 142
|
|
|
|
лучевое испарение Ni, а также пленок, осаждавшихся из алундовых тиглей. В последнем случае в пленку Ni попадал в ничтожно малых концентрациях (0,01— 0,001%) алунд Ah03, а также кислород остаточных газов при общем их давлении Ю-2 Па. Бестигельные пленки осаждались при вакууме 2-Ю-3 На. В табл. 6-7 Таблица 6-7 Влияние скорости осаждения vK и температуры подложки Тп на размер L окр в пленках Ni Скорость осажде Способ испарения Температура, °С Размер области когерентного рассеяния, нм ния, нм/с 100 120 150 170 175 200 0.5 Электроннолучевой метод Бестигельный в ВЧ индукторе 400 700 180 210 1,2 Тигель 180 200 8,0—8,5 Электрон нолучевой Бестигельный в ВЧ индукторе 260 700 300 "450 450 590 680 1100 500 880 1000 1400 78 1170 приведены данные определения размеров ОКР при разном способе аппроксимации: функциями Гаусса (числитель) и Коши (знаменатель дроби) [¡39]. Из таблицы видно, что степень дисперсности структуры особенно высокая в конденсатах N1, в которые попадала примесь материала испарителя. В них блоки-кристаллиты в 3—5 раз меньше, чем в автотигельных и бестигельных конденсатах при практически такой же температуре подложки. Различия в их размерах ОКР обусловлены различиями в степени вакуума. Для автотигельных конденсатов вакуум был Ю-5 Па, т. е. параметр захвата остаточных газов Р/ук для автотигельных составлял: ^.= 10^.= 1,25ЮПа-с/нм, vк 8,0 нм/с' а для бестигельных: _Р= 2я'""Па =2,34.10-'Па.с/ю|. ък 8,5 нм/с Поэтому захват остаточных газов в бестигельных конденсатах значительно (в 50 раз) больше. Соответственно элементы субструктуры на 20—30% мельче. Уменьшение ук при сохранении степени вакуума также способствует увеличению захвата остаточных газов и увеличению дисперсности блоков-кристаллитов (см. Ь для 100°С в табл. 6-8). При высоких температурах подложки, т. е. при значении параметра переохлаждения: £п _ 250" С [270° С Т3 ^ 1455° С : 1455вС и скоростях конденсации 3—4 нм/с пленки имеют значительно большие размеры ОКР (0,08—0,2 мкм). Размер кристаллита существенно превышает размер блока (в 6—9 раз), т. е. субструктура по своему характеру приближается к субструктуре массивного материала. Последнее становится особенно очевидным при отжиге в течение часа при 500°С в вакууме 3-Ю-3 Па. Появляются существенные различия в структуре конденсата со стороны подложки и со стороны испарителя [39] (табл. 6-8). Таблица 6-8 Размер окр L, кристаллита D и микротвердость^Яс толстых (око.чо 40 мкм) пленок никеля До отжига После отжига Внд съемки "к' нм/с D*, мкм L, мкм ff, 10 мн/м" D, мкм L, мкм н, 10 мн/м* испари 250 4,0 1,6 0.08 ' 280 2,2 0,17 225 Со сто теля 270 3,0 1,7 0,08 260 2,4 0,15 180 роны подлож 250 4,0 1,8 0,17 260 2,3 0,2 210 ки 270 3,0 19 0.2 220 2,5 0,2 160 * Размер кристаллитов определялся по методу Жданова — Ивероиовой [39). Как размер ОКР, так и размер кристаллита увеличен при съемке со стороны подложки и после отжига, поскольку в данном случае выдержка пленки, прилегающей к подложке, в течение времени формирования толстой пленки (толщина около 40 мкм, т. е. время препарирования примерно 2,8 ч), эквивалентна длительному отжигу при температуре осаждения.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 83 84 85 86 87 88 89... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
