Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 82 83 84 85 86 87 88... 140 141 142
|
|
|
|
щей перемещение дислокаций скольжением. Конденсаты Ре и №, осажденные на неподогретые подложки, формируются в результате роста зародышей в направлений питающего молекулярного пучка, вследствие чего возникает столбчатая структура. Существенной особенностью этих конденсатов являются кристаллографическая изотропность микронапряжений и анизотропия микродеформации [39]. В пленках никеля возникают дефекты упаковки: деформационные Л№?а и ростовые Л№уа. Суммарная концентрация ДУ обоих видов может достигать . гтнт(с,107н/мг) СГ,107Н/мг 4,5 ИМ та 60 го 1-л Г во во 4-0 0,15 о.го 4 0,25 Тп /Тпл 20 ),1Нм X \ \ \ 1000/т, К ' в) 1000/т, к1 Рис. 6-13. Влияние температуры подложки на микронапряжеиие а и размер ОКР Ь автотигельных конденсатов № (а); график для определения энергии активации процессов, вызывающих изменение а (б) и Ь (в). 1%! при ГП=100°С. Выше 160°С ДУ практически отсутствуют. В процессе роста толстых (1—10 мкм) пленок N1 в слоях, прилегающих к подложке, происходит укрупнение кристаллитов, ориентированных плоскостями (100) параллельно подложке. При таком процессе внутренние макронапряжения, создаваемые благодаря сцеплению с подложкой, уменьшаются. Этот процесс стимулируется энергетическим выигрышем, обусловленным снятием напряженного состояния. Процессы, от которых зависят степень дисперсности блоков-кристаллитов, их размер Ь и уровень микрона-пряжёний а, являются термически активируемыми. Построение температурной зависимости а и Ь в системе коордийат 1п а—1/Т и 1п Ь—1/Г позволяет определить 166 энергию активации (рис. 6-13). В интервале температур иодложки 20°С^ГП^200°С энергия активации самодиффузии (125 кДж/моль) показывает, что реализуемое в пленке активированное состояние (субдисперсные блоки с искаженной решеткой) придает атомам способность мигрировать в процессе формирования пленки значительно интенсивнее, чем при самодиффузии в кристаллической решетке массивного монокристалла. Влияние температуры на размер блоков Ь и величину микронапряжений в автотигельной (испаренных элек нмш(ь,о,1нм) 1— Рис. 6-14. Зависимость размера ОКР Ь в автотигельных пленках № (1) и тигельных пленках пермаллоя (2) от Тп (а); график для определения энергии активации процесса, ответственного за изменение Ь в пленках Пермаллоя (б). тронным пучком в вакууме Ю-5 Па) пленке никеля показано на рис. 6-14. Температура подложки нанесена в относительных единицах Тп/Тв, чтобы сделать более наглядным роль температурных условий переохлаждения, задающих неравновесность состояния. Приведенные зависимости демонстрируют также корреляцию между степенью укрупнения блоков-кристаллитов и снятием напряженного состояния в пленке. Способ испарения и степень вакуума оказывают существенное влияние на дисперсность элементов субструктуры и совершенство кристаллической решетки в них. Особенно наглядно выявляется влияние различных способов испарения: а) испарение никеля из капли, подвешенной в ВЧ индукторе (бестигельный ВЧ способ); электронно
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 82 83 84 85 86 87 88... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
