Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 74 75 76 77 78 79 80... 140 141 142
|
|
|
|
2Ь0 "С Рис. 6-3. Зависимость макродеформации е от температуры Тп для пленок меди. Толщина, мкм: ^ — 0,8; ф — 5; Д-28; О — 50 сталлитов одного и того же размера, несмотря на изменение степени вакуума от 10_3 до Ю-7 Па. Весьма существенным фактором является попадание следов материала испарителя в конденсируемую пленку. По характеру субструктуры и поведению пленок при отжиге наблюдается большое различие между пленками меди, полученными при испарении меди с вольфрамовых и танталовых испарителей. Свойства пленок никеля, нанесенных из неэкранированных алундовых тиглей, существенно отличаются от свойств пленок, осажденных из экранированных алундовых тиглей автотигельным методом с использованием электронной пушки. В "тигельных" конденсатах, нанесенных из алундовых тиглей (А1203), резко заторможены процессы возврата и рекристаллизации. В то же время в пленках № рентгенографически по периоду решетки и с помощью спектрального анализа -обнаруживается примесь А1(А1203). На размер блоков кроме степени вакуума и примесей влияет температура подложки и скорость конденсации. Воздействие этих физико-технологических параметров особенно существенно, так как они легко задаются и варьируются в технологическом процессе. На рис. 6-2,6 приведена зависимость размера Ь блока-кристаллита при испарении меди чистотой 99,95% из алундовых тиглей в обычном техническом вакууме от температуры Та подложки, а на рис. 6-3 иллюстрируется влияние Гп на величину микродеформации в тех же пленках меди. Характерной особенностью этих пленок является высокий уровень микронапряжений массивной меди, превышающий предел текучести ао,2Например, в пленке, осажденной в вакууме Ю-2 Па при 7,П=90°С, микронапряжения были около 600 мН/м2 (при а=35-107 Н/м2— для массивной "твердой" и 5-107 Н/м2 — для "мягкой" меди). Укрупнение блоков и снижение микродеформаций (микронапряжений) происходят симбатно. Наличие Мелких блоков указывает на развитие процессов возврата в зоне пленки, прилегающей к подложке. Повышение скорости конденсации существенно способствует укрупнению блоков-кристаллитов. При скорости осаждения ик~250 нм/с конденсат Си по субструктуре практически не отличается от массивной отожженной меди. Нагрев пленок металлов в процессе отжига оказывает сложное влияние на субструктуру. В образ-Таблица 6-4 Влияние толшины и температуры отжига на ширину линии (220) (мрад) Алюминий Серебро А, им Г отжига, "С к, нм Т отжига, "С 20 150 300 20 150 200 20 35 45 60 1,5 1,42 1,25 1,12 1,88 1,42 1,55 1,30 1,18 0,87 1,12 1,10 15 33 50 6,3 1,25 1,12 1,00 1,12 0,80 ,0,88 0,75 0,92 0,75 0,65 0,60 цах алюминиевых пленок нагрев до 150°С за 1—2 мин вызывает увеличение дифракционного расширения линий на рентгенограммах, т. е. измельчение блоков-кристаллитов. Напротив, выше 150°С регистрируется сужение линий из-за развития процесса возврата, т. е. укрупнение блоков. Однако нагрев даже до 300°С не устраняет высокой дисперсности. Процесс рекристаллизации, регистрируемый по появлению точечных рефлексов на кольцах, в полной мере развивается лишь при 450°С (табл. 6-4) [39]. В отличие от алюминия в пленках серебра наблюдается монотонное снижение ширины линий (рис. 6-4) и выявляются значительно более интенсивные процессы возврата и рекристаллизации. В отожженном состоянии регистрируются двойниковые дефекты упаковки (соответствующие двойникам отжига). Концентрации этих двойниковых дефектов изменяются немонотонно с температурой отжига (рис. 6-5). Из табл. 6-4 и рис. 6-4 видно, что толщина к пленки является важным параметром, определяющим тенденцию к изменению субструктуры. Повышение толщины связано с увеличением времени выдержки при температуре, конденсации и с изме
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 74 75 76 77 78 79 80... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
