Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 71 72 73 74 75 76 77... 140 141 142
|
|
|
|
свойства в массивном и пленочном состояниях при различных методах формирования этих пленок. Важное значение имеет механическая (адгезия, внутренние напряжения) и физико-химическая стабильность (влияние нагрева, влажности, электрического режима работы, химического состава среды). Для обычной системы межсоединений эти требования выполняются с помощью многослойных пленочных композиций из материалов с высокой проводимостью (А1, А& Аи, Си), высокой адгезией к подложке (Сг, №, №Сг, ТЛ, Мо) и с высокой физико-химической устойчивостью (Рс1, Й и т. д.). Нанесение проводящих пленок в вакууме групповым методом является одним из наиболее технологичных методов изготовления подобных элементов. Этот метод позволяет осуществлять контроль толщины и распределения конденсата на подложке, достигнуть высокой степени чистоты, а также требуемых физико-механических и электрофизических свойств. Использование неконтактных (щелевых трафаретов) или контактных (фоторезистов) масок обеспечивает нанесение проводящих дорожек и многослойных композиций. Недостатком метода является сложность нанесения многокомпонентных материалов (сплавов, интерметаллидов, металлостеклян-ных и эмалевых смесей), которые, однако, мало используются в качестве проводящих пленочных проводников. Недостатком, по сравнению с толстопленочной технологией, является относительно высокая стоимость тонкопленочных систем межсоединений в микросхемах, выпускаемых небольшими партиями. Конкурентоспособность толстопленочных микросхем объясняется: 1)простотой изготовления (не требуется сложного оборудования и квалифицированного персонала); 2)низкой себестоимостью (малая трудоемкость операций и простота процесса выделения рисунка микросхемы) ; 3)непродолжительностью цикла изготовления и переналадки оборудования для производства микросхем нового типа; 4)менее жесткими требованиями и более широкими допусками при монтаже навесных активных элементов; 5)высокой надежностью и хорошими рабочими характеристиками. Структура конденсированных проводящих пленок. Субструктура металлических пленок толщиной 20— 144 250 "В Рис. 6-2. Часть кольца электронограм-мы с рефлексами, снятая методом микропучка (а), зависимость от Та размеров ОКР в пленках меди толщиной 5 мкм (светлые кружки) н 28 мкм (темные кружки) (б). 50 нм изучалась на ранней стадии конденсации методом электронного микропучка. Исследовалась субструктура конденсированных пленок А1 и Ag, осажденных на стеклянную подложку и ЫаС1 из конусообразной вольфрамовой спирали в вакууме Ю-3—10~4 Па (паромасляный насос). Пленки, осажденные на подложку при комнатной температуре, содержат беспорядочно ориентированные мелкие (около 20 нм) блоки. На рис. 6-2,а приведена электронограмма, снятая методом микропучка площадью 4-Ю6 нм2, угол сходимости примерно 7-Ю-4 рад. Средний размер блока, подсчитанный по формуле 1ср=-\/гУ, и значение нижнего предела угла разориентировки у° приведены ниже [39]. Размер Ь и разориеитировка у-блоков в пленках алюминия"*! Толщина плевки к, нм £, нм 1° 15 22 1,6 40 26 1,5 55 28 1,5 75 32 1,9 Самые тонкие пленки моноблочны по высоте, так как £А. При толщинах А40 нм к растет быстрее, чем Ь, что указывает на тенденцию к формированию пленок, полиблочных по высоте. Относительно шероховатый рельеф наблюдается для пленок толщиной А15 нм. При Л40 нм он заметно сглаживается. При уменьшении площади, облучаемой микропучком, число рефлексов на дебаевском кольце уменьшается, но распределение их по кольцу остается равномерным. Это показывает, что смежные точки на дебаеграмме представляют собой отражения не от соседних блоков, а от удаленных друг от друга на десятки микрометров, но имеющих близкие ориен-10—295145
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 71 72 73 74 75 76 77... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
