Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 70 71 72 73 74 75 76... 140 141 142
|
|
|
|
Влияние вклада дисперсионных сил существенно, например, при определении относительной устойчивости решеток типа МаС1 и СэСИ у ионных кристаллов (см. гл. 1). Высокая (сферическая) симметрия н практически полное отсутствие варнабнльностн межатомной связи у чясто нонных соединений существенно огранячнвают возможность продолжительного существования у ннх активированного состояния. В случае металлической связи имеется столь же высокая симметрия межатомной связя. На это указывает широкое распространение модели жестких шаров при объяснении структуры и свойств чистых металлов и ях сплавов. Варнабнльность металлической связи, однако, существенно выше, чем у нонной. Об этом свидетельствует гибридизация с учетом в, р, й и /-электронов. Бинарные сплавы металлов в аморфном состоянии удается получить при осаждении пара на охлаждаемую до Гп0,ЗГ, подложку, если атомные радиусы компонентов сплава отличаются друг от друга больше чем на 10%. В подобном активированном состоянии степень упорядочения несколько выше, чем в жидкости [101]. Поэтому' они не являются аморфными в точном значении этого термина. Этн сплавы могут существовать в активированном состоянии длительное время прн температуре Т0,ЗТ3. Влияние температуры на активированное состояние по данным измерения удельного сопротивления представлено на рис. 5-23. Влияние состава на удельное сопротивление н температурный коэффициент сопротивления в активном аморфизированном состоянии сплавов —В1 иллюстрируется в [104]. Прн образовании твердых растворов введение второго компонента способствует смещению атомов от симметричного положения, которое онн занимают в решетках чистых компонентов. Причем это смещение тем больше, чем существеннее отличаются по размерам н массе атомы вводимого компонента. Рассмотренный пример показывает, что снижение симметрии межатомной связи прн введении в решетку одного металла атомов другого, существенно отлячающнхся от атомов матрицы по размерам, способствует повышению вероятности сохранения активированного состояния н превращению его нз лабильного в метастабнльное прн Г0,ЗГ„. Ковалентная межатомная связь отличается наименьшей снммет-трней н наибольшей варнабнльностью прн любых возмущениях (например, разрыхлении) кристаллической решегкн. Поэтому активированное состояние у такях веществ легко сохраняется вплоть до 200—400ЧС, т. е. является метастабнльным в широком диапазоне температур, о чем свидетельствует наличие у материалов подобного типа устойчивого стеклообразного состояния (см. § 1-3). 142 мк0м-см т-1-1-1-1-г -—Т_і_і_і_і і 0 200 Ш 600 600 1000 1200 К Рис. 5-23. Отжиг аморфных пленок, осажденных прн 80 К, по данным электросопротивления р. / — аморфная пленка Си+50% Ag; 2 — массивная медь; 3 — массивное серебро; 4 — расплав Си+50% Ак; Л— аморфная область; В — однофазная; С — двухфазная кристаллическая пленка. Глава шестая ПЛЕНОЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ 6-1. проводящие пленки Основное направление микроминиатюризации связано с уменьшением размеров активных и пассивных элементов. Повышение плотности этих элементов приводит, однако, к важной проблеме создания системы межсоединений, обеспечивающих объединение этих элементов в схему и ввод и вывод сигналов из микросхемы. Не менее сложной является задача создания системы межсоединений многослойной печатной платы, на которой ведется монтаж этих микросхем. Пример системы межсоединений, иллюстрирующий трудности проблемы, приведен на рис. 6-1. Из него видно, что общая длина межсоединений для современной большой интегральной схемы (БИС) достигает 1320 мм при ширине пленочныхпроводников 50 мкм, отделенных друг от друга зазором 100 мкм. Выбор системы межсоединений определяется: 1)материалами межсоединений и их сочетанием с материалами, торых изготовлены другие элементы БИС; 2)технологическим процессом нанесения; 3)материалом подложки и проблемой его совместимости с материалами всех остальных элементов; 4)методом выделения рисунка; 5)способом присоединения проволочных выводов. При выборе материала учитываются химические и термодинамические свойства компонентов этого материала, его физико-механические и электрофизические Рнс. 6-1. Рисунок системы проводящих дорожек для большой интегральной схемы запоминающего устройства. ИЗ ко
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 70 71 72 73 74 75 76... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
