Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 69 70 71 72 73 74 75... 140 141 142
|
|
|
|
ная структура занимает центральную часть этой области. Ее окружает зона кристаллического вещества, которое в процессе активации подвергалось сильной деформации. Характерной особенностью этой зоны является наличие высокой плотности дислокаций: дефектов упаковки, двойниковых прослоек и т. д. Предельным случаем подобной ситуации является активация в процессе бомбардировки кристалла ускоренными частицами больших энергий. Динамика возникновения раднациоииого нарушения, например, бивакансии в модели ОЦК решетки, имитирующей кри-стал о-железа, иллюстрируется иа рис. 5-22 [103]. Сплошной протяженной траекторией обозначена последовательность сфокусированных столкновений, рассчитанная на ЭВМ. Атом, выбитый из положе 2 3 4 5 Б 7 8 3 10 Рис. 5-22. Траектории движений атомов при передаче удара налетающей частицей по плотноупакованным направлениям (БАСВ). Передача импульса завершилась выбиванием атома из позиции О. ния О, попадает в позицию С. В результате возникает бнвакансия: одна вакансия в О н вторая в В — после ухода из этого узла атома В. Наиболее интенсивные смещения происходят в области размером в несколько периодов решетки. Коррелированные смещения в виде фокусонов н краудионов (см. гл. 8) могут распространяться на значительные расстояния от места, где произошло столкновение. Из рассмотренных примеров следует, что активированные состояния по своему происхождению, энергетической и структурной характеристике могут быть чрезвычайно разнообразными. Поэтому целесообразно классифицировать их не только по происхождению, но также по специфике поведения во времени и пространстве, по структурным признакам н т. д. Классификация активированных состояний. Исходя из временной характеристики возмущающего (возбуждающего) воздействия, обобщенные возмущающие силы можно разделить на действующие дискретно, непрерывно и квазинепрерывно. Примером активирующего воздействия может служить механический удар илн механическое диспергирование, происходящее вследствие дробления. При подобно ном воздействии активированное состояние^ создается за короткое время. Запасенная твердым телом в активированном состоянии энергия и структурные изменения в дальнейшем могут лишь релаксиро-вать к равновесному состоянию. Непрерывное возмущающее воздействие свойственно таким видам активации, как химическая активация в процессе реакции и фазовые превращения. Активация с квазннепрерывным возмущением возникает при облучении электромагнитными и корпускулярными потоками. При больших дозах облучения отдельные области активации сливаются, и возмущающее воздействие к любой области твердого тела подводится практически постоянно. Прн малых дозах характер возмущения в микроскопических областях приближается к дискретному. Различия в длительности действия возмущающей силы существенно отражаются на кинетике релаксации в невозбужденное нормальное состояние. Прн однократном возбуждающем воздействии возможна лишь релаксация с убывающей по интенсивности запасенной энергией и сокращением числа активированных областей или комплексов в твердом теле. Прн непрерывном нли квазинепрерывном возбуждения возможно накопление (увеличение числа) определенных видов активированных областей' (структурных комплексов) илн возрастание энергии, накапливаемой в этих структурных комплексах. В последних двух случаях по своему характеру оно также является непрерывным или кваэинепрерывным. Кинетика релаксации возбужденного состояния имеет две стадии: быструю электронноили ионно-плазменную релаксацию и медленную структурную релаксацию. На второй стаднн носителем активированного состояния является неравновесная, "возмущенная" структура твердого тела. Последнее означает, что важное значение для понимания существа активированного состояния и его свойств имеет классификация его структурных особенностей. Носителями активированного состояния на этой стадии являются структурные области и комплексы, известные как дефекты симметрии (кристаллического строения). Поэтому активированное состояние может быть пространственно-локализованным, если микроскопические области структуры или комплексы — носители активированного состояния отделены друг от друга невозмущенными областями, размеры которых не уступают размерам этих областей или комплексов. В противном случае оно представляет собой пространственно-однородное состояние. Пространственно-однородное состояние является обычно предельным состоянием в так называемой доменной структуре, для которой характерно наличие однородных по свойствам, но различных по качеству макроскопических, активированных областей. Специфика процесса активации, кинетика и энергетика его реакции на всех стадиях зависят от типа симметрии и степени вариа-бильности межатомной связи вещества, подвергнутого активации Высокой степенью симметрии и малой вариабильностью межатомной связи обладают кристаллы с ионной связью. В этих веществах ионно-атомный остов катиона и аниона имеет внешнюю оболочку, соответствующую оболочке инертного газа. Это состояние является фактически единственным. Запас вариабильности при формировании решетки исчерпывается слабым возмущением этих оболочек — поляризацией и изменением малого вклада дисперсионных сил.
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 69 70 71 72 73 74 75... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
