Материаловедение в микроэлектронике
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 68 69 70 71 72 73 74... 140 141 142
|
|
|
|
При Достаточно высоких значениях переохлаждения и возникших вследствие переохлаждения пересыщениях переход пар — кристалл происходит с созданием высокодисперсного состояния твердого тела с образованием большой суммарной поверхности границ между твердыми частицами. Диспергированное состояние является активированным с большой величиной активности А*. 2. Интенсивное механическое воздействие приводит к деформации (упругой и пластической) кристаллической решетки и, как следствие, к появлению дефектов кристаллического строения. Предельным случаем деформации является разрушение кристаллической решетки. Вследствие разрушения и диспергирования кристаллической решетки, например, при резании и шлифовке кристаллов кремния на его поверхности возникают аморфизированнын слон толщиной до нескольких сотен нанометров и сильно деформированный слой толщиной до нескольких десятков микрометров. 3. При фазовом превращении может возникать активированное состояние вследствие разрыхления решетки и наличия напряжений, неизбежных при перестройке структуры. 4. Облучение жесткими электромагнитными или корпускулярными пучками. В этом случае происходит разрушение решетки вследствие соударения составляющих ее атомов с быстрыми частицами или вследствие поглощения ими квантов, несущих энергию, превышающую энергию разрушения решетки — например, энергию Е^, необходимую для удаления атомов (иона) из узла решетки в между-узельное положение. б. Разложение соединений. При термическом, фотохимическом или оадиационном разложении соединений также выделяется большая энергия, которая может быть передана кристаллической решетке и способна перевести ее в активированное состояние. 6.Химическое осаждение. При осаждении из охлажденных растворов возникают мелкодисперсные кристаллические и аморфные осадки, а также другие формы активированного состояния. 7. Выщелачивание компонента из сплава. Если оставшиеся компоненты сплава не подвергаются выщелачиванию, то образуется мелкодисперсный порошок. Например, при выщелачивании сплава А1—№ с помощью ЫаОН образуется высокодисперсный (~4 им) реакционноактивный порошок никеля. Рис. 5-19. Изменение во времени разности потенциалов (а) и световой эмиссии разряда при отрыве острня от поверхности по Майеру, Цитту, Полли [101] (б). а: и з I 8. Химическое восстановление соединения с выделением чистого металла. Соединение восстанавливают газообразными реагентами (например, Н2, НСООН, спиртами) при помощи газофазных реакций. Наличие процессов перестройки поверхности при механическом разрушении фиксируется экспериментально по интенсивным электрическим явлениям эмиссии электронов и светового излучения. Например, в [101] показано, что если на поверхности кристалла установить острие и затем разорвать контакт, то в газовой среде с давлением в несколько сотен Паскалей возникают разряд эмиссия света (рис. 5-19). Известно, что при механическом контакте между поверхностью образца и острием ^ . возникает большое локальное а давление, способствующее по-явлению в месте контакта силь^ ного молекулярного сцепления, §^ по прочности не уступающего ^ 10 межатомным связям внутри веч ществ, вступивших в контакт. ^ Последнее доказывается чали§ чием переноса на поверхность, * 10' образованную после разрыва контакта, заметного количества атомов другого вещества [101]. Таким образом, разрыв контакта сопровождается эмиссией электронов в вакуум и еще рядом электрических явлений и образованием в местах разрыва контакта субмикроскопической плазмы. Во время механиче-окого воздействия и после него происходит спонтанная эмиссия электронов с высокой энергией порядка нескольких КЭВ (эффект Дерягииа—Кротовой). При нанесении царапин также происходит образование новой поверхности, сопровождаемое изменением во времени фотостимули-рованного испускания электронов (рис. 5-20). При точечном воздействии на поверхность: вдавливания шарика или пирамиды, царапании иглой — под поверхностью образуется локальная область, простирающаяся на некоторую глубину, в которой вещество находится в активированном состоянии (рис. 5-21). Возникающая квазиаморф 1010" 10' Время после о5ра8отш,с Рис. 5-20. Фотостимулированная эмиссия электронов после нанесения царапины на поверхности А1 н 2п [101]. Вещество В активированном состоянии Вещество в активированном состоянии *) Рис. 5-21. Модель плотноупакованной кристаллической решетки до воздействия (а); квазиморфиая структура (б) и структура, содержащая лииейиые дефекты и валики вокруг области, подвергнутой активирующему воздействию (в).
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 68 69 70 71 72 73 74... 140 141 142
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
